ایران ترجمه – مرجع مقالات ترجمه شده دانشگاهی ایران

احتمال ساخت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی

احتمال ساخت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی

احتمال ساخت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی – ایران ترجمه – Irantarjomeh

 

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات رایگان

مطالعه ۲۰ الی ۱۰۰% رایگان مقالات ترجمه شده

۱- قابلیت مطالعه رایگان ۲۰ الی ۱۰۰ درصدی مقالات ۲- قابلیت سفارش فایل های این ترجمه با قیمتی مناسب مشتمل بر ۳ فایل: pdf انگیسی و فارسی مقاله همراه با msword فارسی  

چگونگی سفارش

الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه (شماره حساب) ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.com شامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر
مقالات ترجمه شده آماده گروه برق - الکترونیک - ایران ترجمه - Irantarjomeh
شماره
۹۱
کد مقاله
ELC91
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
احتمال ساخت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی
نام انگلیسی
Possibility and Fabrication of Carbon-Nanotube Transistors
تعداد صفحه به فارسی
۴
تعداد صفحه به انگلیسی
۴
کلمات کلیدی به فارسی
کلمات کلیدی به انگلیسی
مرجع به فارسی
چکیده
مرجع به انگلیسی
قیمت به تومان
۲۰۰۰
سال
۲۰۱۰
کشور
ژاپن

 

 احتمال ساخت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی
 
فومییوکی نیهی، لابراتوار تحقیقاتی محیط زیست و علوم اساسی NEC،
ژاپن
۲۰۱۰ ۲۰۰۹
  
نانو لوله های کربنی (CNT ها) توجه زیادی را بعنوان اجزای الزامی تشکیل دهنده نانو الکترونیک آینده به خود جلب نموده اند که علت آن قطرهای بسیار باریک در مرتبه نانومتری آنها می باشد که مهندسی محتمل خواص الکترونیک همراه با قابلیت حمل بالستیک / پرتابه ای، و ظرفیت زیاد جریان را به ارمغان می آورد. به منظور مشخص نمودن مزیت CNT ها، لازم است تا مطالعات بهینه کاوی را با استفاده از فناوری های کاملا جا افتاده Si-MOSFET مدنظر قرار داد. علاوه براین، لازم است تا نسبت به توسعه روش های ساخت ابزاره ها با استفاده از CNT ها، به منظور حرکت به سمت استفاده عملی از آنها، اقدام نمود.
ما نسبت به بررسی رسانایی متقابل ذاتی CNTFET ها با استفاده از رشد CNT ها به وسیله رسوب بخار شیمیایی (CVD) اقدام نمودیم. رسانایی متقابل اندازه گیری شده در یک ولتاژ درین  V−۱ به میزان  برای یک CNT با یک قطر ۵/۱ نانومتر می باشد. رسانایی متقابل ذاتی بسیار بالای  با استفاده از بررسی تعاملات مرتبط با مقاومت پارازیتی مورد ارزیابی قرار گرفت. رسانایی متقابل ظاهری و ذاتی برحسب پهنای کانال به میزان   و    به ترتیب می باشند. این موارد به طور قابل توجهی بزرگتر از موارد مرتبط با Si MOSFETs های نوین به شمار می آیند. ما انتظار داریم که عملکرد CNTFET ها از طریق ارتقای کیفیت CNT و از طریق بهینه سازی ساختارهای ابزاره متعاقبا افزایش یابد [۱].
علاوه براین ما اقدام به توسعه یک روش نوین برای سنتز نانو ذره آهن نمودیم که اجازه کنترل آسان هر دوی موقعیت ها و قطرهای نانو ذرات با دقت معنی دار و کوچکتر از محدوده لیتوگرافی را خواهد داد. بعلاوه از طریق این نانوذرات، قابلیت نشان دادن رشد CNT کنترل شده از نقطه نظر موقعیت و قطر را خواهیم داشت. ما الگوی ذرات آهن را نشان دادیم که دارای یک توزیع قطر  نانو متر در داخل با دقت موقعیت یابی  نانومتر، از طریق کاربرد سنتز نانو ذره با لیتوگرافی (LANS)، می باشد [۲] که خود حاوی الگو سازی – نقطه ای مقاومت پرتوی – الکترون ترکیب شده با آهن ارگانیک / عالی، جدایی- فاز به وسیله افزایش دما و حذف کربن با استفاده از عمل اکسایش می باشد. اندازه ذره را می توان از طریق میزان آهن در مقاومت پرتوی الکترون و اندازه الگو کنترل نمود. موقعیت ذرات به وسیله موقعیت های نقطه اولیه محدود می باشند. CNT ها به طور موفقیت آمیزی با استفاده از CVD اتانول رشد یافتند. این روش به سادگی برای ساخت CNTFET های دارای عملکرد بالا قابل کاربرد خواهد بود.
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
تماس با ما

اکنون آفلاین هستیم، اما امکان ارسال ایمیل وجود دارد.

به سیستم پشتیبانی سایت ایران ترجمه خوش آمدید.