ایران ترجمه – مرجع مقالات ترجمه شده دانشگاهی ایران

ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی- آخرین دستاوردها

ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی- آخرین دستاوردها

ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی- آخرین دستاوردها – ایران ترجمه – Irantarjomeh

 

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات رایگان

مطالعه ۲۰ الی ۱۰۰% رایگان مقالات ترجمه شده

۱- قابلیت مطالعه رایگان ۲۰ الی ۱۰۰ درصدی مقالات ۲- قابلیت سفارش فایل های این ترجمه با قیمتی مناسب مشتمل بر ۳ فایل: pdf انگیسی و فارسی مقاله همراه با msword فارسی  

چگونگی سفارش

الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه (شماره حساب) ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.com شامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر
مقالات ترجمه شده آماده گروه برق - الکترونیک - ایران ترجمه - Irantarjomeh
شماره
۹۵
کد مقاله
ELC95
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی- آخرین دستاوردها
نام انگلیسی
Carbon nanotube field-effect transistors – The latest insights
تعداد صفحه به فارسی
۴
تعداد صفحه به انگلیسی
۴
کلمات کلیدی به فارسی
کلمات کلیدی به انگلیسی
مرجع به فارسی
چکیده
مرجع به انگلیسی
قیمت به تومان
۲۰۰۰
سال
۲۰۱۰
کشور
ایالات متحده

 

 ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی- آخرین دستاوردها
 
مرکز تحقیقاتی واتسون، IBM T.J
۲۰۱۰ ۲۰۰۹
 
در خلال چندین سال اخیر نانو لوله های کربنی (CN) ها خود توجه بسیاری را تحت عنوان بلوک های اصلی کاربردهای الکترونیک بخود جلب نموده اند. در حالیکه که نانو لوله های فلزی به عنوان سیستم های میان اتصالی در مدارهای مجتمع شناخته می شوند، لوله های نیمه رسانایی به عنوان مولفه ها یا اجزای ترانزیستور اثر میدان (FET) مشخص می گردند. از آنجایی که اولین عملیات CNFET در سال ۱۹۹۸ انجام شد، عملکرد این ابزار به میزان قابل توجهی ارتقا یافته است. در بین دیگر موارد این مورد نیز نشان داده شده است که CNFETs ها در یک حالت بالستیک / پرتابه ای حتی در دمای اتاق عمل نموده که خود فراهم آورنده ولتاژهای درین و گیت چندان بزرگی نبوده و طول کانال آنها فراتر از چندین صد نانو متر نخواهد بود. یکی از یافته های غیر قابل انتظار فوق العاده در زمینه CNFETs ها این موضوع می باشد که آنها را نمی توان در محدوده یک مدل MOSFET متعارف تشریح نمود. اصلی ترین مشاهده را می توان اینگونه بیان داشت که عملکرد ترانزیستورهای نانو لوله کربنی در حقیقت مشابه با ابزاره های مانع شوتکی می باشد. به علاوه این موضوع نیز مشخص شد که راه گزینی در نیمه رساناهای اندازه نانومتر، نظیر نانو لوله های کربنی، در تماس با الکترودهای فلز سورس/ درین به طور کامل با استفاده از سطوح میانجی یا مشترک فلز/ نیمه رسانا و وابستگی – میدانی آنها مشخص می شود، البته به شرط آنکه انتقال در نیمه رسانا به صورت بالستیک / پرتابه ای باشد. با استفاده از نوع خاص خواص نانو لوله، ما قابلیت حصول بینش های مهمی در باب موضوع  انتقال چند موده / چند حالته در CNFETs ها را خواهیم داشت و مهمتر آنکه اخیرا قابلیت ساخت اولین تونل سازی باند- به- باند CNFET با یک رفتار راه گزینی سریعتر، در مقایسه با موارد حاصله با استفاده از هر یک از دیدگاه های ترانزیستور متعارف، را حاصل آورده ایم. این مبحث علی الخصوص چنین دیدگاه حیاتی در ارتباط با انتقال / حمل و نقل در نانو لوله های کاربنی را تحت پوشش قرار داده و پتانسیل عملکرد تونل زنی CNFETs ها را نیز تشریح خواهد نمود.
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
تماس با ما

اکنون آفلاین هستیم، اما امکان ارسال ایمیل وجود دارد.

به سیستم پشتیبانی سایت ایران ترجمه خوش آمدید.