ایران ترجمه – مرجع مقالات ترجمه شده دانشگاهی ایران

توصیف ترانزیستورهای اثر میدان (FET ها) نانو لوله کربنی با فلزات تماسی مختلف

توصیف ترانزیستورهای اثر میدان (FET ها) نانو لوله کربنی با فلزات تماسی مختلف

توصیف ترانزیستورهای اثر میدان (FET ها) نانو لوله کربنی با فلزات تماسی مختلف – ایران ترجمه – Irantarjomeh

 

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات رایگان

مطالعه ۲۰ الی ۱۰۰% رایگان مقالات ترجمه شده

۱- قابلیت مطالعه رایگان ۲۰ الی ۱۰۰ درصدی مقالات ۲- قابلیت سفارش فایل های این ترجمه با قیمتی مناسب مشتمل بر ۳ فایل: pdf انگیسی و فارسی مقاله همراه با msword فارسی  

چگونگی سفارش

الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه (شماره حساب) ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.com شامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر
مقالات ترجمه شده آماده گروه برق - الکترونیک - ایران ترجمه - Irantarjomeh
شماره
۸۸
کد مقاله
ELC88
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
توصیف ترانزیستورهای اثر میدان (FET ها) نانو لوله کربنی با فلزات تماسی مختلف
نام انگلیسی
Characterization of Carbon Nanotube FETs with Various Contact Metals
تعداد صفحه به فارسی
۷
تعداد صفحه به انگلیسی
۶
کلمات کلیدی به فارسی
چکیده
کلمات کلیدی به انگلیسی
مرجع به فارسی
مرجع به انگلیسی
قیمت به تومان
۲۰۰۰
سال
۲۰۱۰
کشور
ژاپن

 

توصیف ترانزیستورهای اثر میدان
(FET ها) نانو لوله کربنی با فلزات تماسی مختلف
دپارتمان مهندسی کوانتوم ، دانشگاه ناگویا
۲۰۱۰ – ۲۰۰۹
نانولوله های کربنی (CNT ها) بعنوان مواد قابل توجه برای ابزاره های الکترونی در سطح نانو مقیاس بشمار می آیند، نظیر ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله ای برای مدارهای مجتمع با چگالی فوق عالی و ابزاره های اثر کوانتوم برای مدارهای هوشمند نوین؛ مواردی که خود به نظر فراهم آورنده پیشرفتی  قابل  ملاحظه در فن آوری کنونی سیلیکون هستند. بمنظور  توسعه  کامل  پتانسیل  NT-FETها، درک رفتار تماسی NT-FETها مهم می باشد. در این گزارش، ما  اقدام  به ساخت NT-FETها با استفاده از فلزات مختلف بعنوان مواد تماسی نموده و علاوه بر این ویژگی های این ابزاره را با جزئیات مرتبط با آن مورد بررسی قرار می دهیم.
NT-FETها با استفاده از رشد CNTها با قابلیت کنترل موقعیت و با استفاده از CVD حرارتی بر روی کاتالیزورهای الگو دار انجام شده است تا آنکه قابلیت مشخص نمودن موقعیت ها CNT-FETها وجود داشته باشد. CNT-FETها ساخته شده غالبا نشان دهنده نوعی رسانش نوع- p می باشند. بعنوان یک ابزار نوین، ترانزیستورهای اثر میدان پیپاد (بشکل پوسته نخود فرنگی – peapod) مختلف همراه با متالوفولرین ها که در CNTها الحاق و درج شده اند تولید گردیدند. آنها با توجه به هر دو رفتار رسانش نوع –p  و نوع – N ، منوط به ولتاژ گیت، خصیصه های I-V  دو قطبی را نشان دادند.
ویژگی های دو قطبی بر مبنای مدل ترانزیستور – مانع – شوتکی تشریح می شوند، که در آن عملکرد ترانزیستور عمدتا از طریق تغییر مقاومت تماس شوتکی به وسیله ولتاژ گیت، به جای مقاومت کانال، اعمال می گردد. این موضوع نشان داده شده است که باند گپ / گاف نوار ترانزیستورهای اثر میدان پیپاد وابسته به نوع متالوفولرینی می باشند که در کانال CNTها تزریق شده است. این امر موکد احتمال مهندسی باند گپ CNTها با استفاده از متالوفولرین های کپسوله ساز می باشد.
بر مبنای مدل ترانزیستور- مانع – شوتکی، ما CNT-FETهای n– کاناله، بدون هرگونه دوپه شدگی در کانال CNT، را مشخص نموده و از Ca بعنوان فلز تماس با یک تابع کار کوچک بهره گرفتیم. بلندی مانع این تماس بوسیله وابستگی دمایی جریان درین حاصل شده است که خود موکد تشکیل پلاریزاسیون / قطبش در سطح فلز / CNT می باشد. ما همچنین اقدام به ساخت CNT-FETها با استفاده از انواع مختلف فلزات تماسی با توابع کاری مختلف (Pd، Ti، Mg و Ca) نمودیم. ولتاژ آستانه منوط به تابع کار فلزات تماسی می باشد، که خود موکد آن است که اتصال تراز فرمی در CNTها ضعیف می باشد. پسماند مغناطیسی جریان درین با استفاده از غیر فعال سازی سطح Si۳N۴ کاهش یافت.
تاثیرات روشن سازی سبک بر روی CNT FET ها با استفاده از طیف بینی جریان نوری ریز (microphotocurrent) مورد بررسی قرار گرفت. بر مبنای طیف تحریک جریان نوری، کایرالیتى CNT که در کانال FET بکار گرفته شده است مشخص و بکار گرفته شد. بعلاوه، این مورد نیز نشان شده است که CNT-FETها برای تشخیصگرهای نوری دارای یک محدوده دینامیکی بزرگ، با ۴ مرتبه بزرگی مناسب هستند.
کاربرد مهم دیگر CNT-FETها بیوحسگر / حسگر زیستی عاری از برچسب (label-free) است. الکترودهای تماسی با عایق پوشش داده شده اند تا از محلول حاوی آنتی ژن و برخورد آن با الکترودها جلوگیری شود، پدیده ای که ممکن است سبب بروز تغییری در تابع کار فلز تماسی شده و سبب مدوله سازی جریان درین گردد. جریان درین از طریق بکارگیری محلول حاوی- آنتی ژن (ضد موش IgG F(c)) [Goat]) در CNT-FETهای آنتی بادی – ثابت کاهش یافت.
ما نتایج تجربی را بر روی CNT-FETها با استفاده از SWNT بعنوان یک کانال نشان داده ایم. در حالی که این موارد از پتانسیل مطلوبی برای الکترونیک کامپیوتر برخوردار هستند، این احتمال نیز وجود دارد که کاربردهای اولیه CNT-FETها در سیستم های جامع نظیر بیو حسگرها و ابزارهای اپتوالکترونیک کمتر باشد. ابزارهای کاربردی جدید بر مبنای ویژگی های تک بعدی منحصر به فرد آنها همچنین مورد توجه خواهند بود.
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
تماس با ما

اکنون آفلاین هستیم، اما امکان ارسال ایمیل وجود دارد.

به سیستم پشتیبانی سایت ایران ترجمه خوش آمدید.