ایران ترجمه – مرجع مقالات ترجمه شده دانشگاهی ایران

دینامیک فوق سریع در نانو لوله های کربنی بررسی شده به وسیله شبیه سازی های TDDFT-MD

دینامیک فوق سریع در نانو لوله های کربنی بررسی شده به وسیله شبیه سازی های TDDFT-MD

دینامیک فوق سریع در نانو لوله های کربنی بررسی شده به وسیله شبیه سازی های TDDFT-MD – ایران ترجمه – Irantarjomeh

 

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات رایگان

مطالعه ۲۰ الی ۱۰۰% رایگان مقالات ترجمه شده

۱- قابلیت مطالعه رایگان ۲۰ الی ۱۰۰ درصدی مقالات ۲- قابلیت سفارش فایل های این ترجمه با قیمتی مناسب مشتمل بر ۳ فایل: pdf انگیسی و فارسی مقاله همراه با msword فارسی  

چگونگی سفارش

الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه (شماره حساب) ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.com شامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر
مقالات ترجمه شده آماده گروه برق - الکترونیک - ایران ترجمه - Irantarjomeh
شماره
۹۲
کد مقاله
ELC92
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
احتمال ساخت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی
نام انگلیسی
Possibility and Fabrication of Carbon-Nanotube Transistors
تعداد صفحه به فارسی
۶
تعداد صفحه به انگلیسی
۵
کلمات کلیدی به فارسی
کلمات کلیدی به انگلیسی
مرجع به فارسی
چکیده
مرجع به انگلیسی
قیمت به تومان
۲۰۰۰
سال
۲۰۱۰
کشور
ژاپن

 

دینامیک فوق سریع در نانو لوله های کربنی بررسی شده به وسیله شبیه سازی های TDDFT-MD

 لابراتوار تحقیقات پایه و محیطی، گروه NEC، تسوکوبا، ژاپن

۲۰۱۰ – ۲۰۰۹

 

بواسطه ثبات اساسی، علیرغم قطرهای بسیار باریک، نانو لوله های کربنی به عنوان مواد کلیدی برای تولید ابزارهای در سطح نانو مقیاس به شمار می آیند. با این وجود، خواص فیزیکی مشاهده شده نظیر استحکام مکانیکی و رسانایی الکتریکی کمتر از مواردی است که از نقطه نظر تئوریکی پیش بینی می شد. این حقیقت سبب ایجاد چنین استنباطی خواهد شد که نانو لوله های حقیقی دارای نقص های ساختاری می باشند که برمبنای آن صرفا درک تئوریکی آنها مکفی نخواهد بود. تحلیل دقیق ساختارها و خواص ذاتی نانو لوله ها بر این مبنا کاملا ضروری می باشد. اولین دیدگاه اصلی در ارتباط با ابزاره های قدرتمند (همراه با رویکردهای تجربی) برای ارضاء نمودن چنین تقاضایی مد نظر قرار گرفته است.

 

در این مقاله، ما بر روی خواص نانو لوله های دارای قطر باریک از نقطه نظر پدیده عدم تعادل متمرکز می شویم. نانو لوله های باریک به نظر دارای کوپلینگ / جفت گیری الکترون- فوتون کاملا قدرتمندی بوده و از این رو دارای ثابت زمانی بسیار کوتاه از تباهی حامل می باشد که در این مبحث ارائه می گردد. با این حال، نانو لوله های باریک قابلیت بازیافت ساختارهای خود از طریق دینامیک های کاملا سریع حاصله به وسیله تحریک الکترونی / الکترونیکی را خواهند داشت، که خود سبب ارتقای کیفیت نانو لوله های کربنی خواهد شد. ما انتظار داریم که تحریک الکترونیکی را بتوان به عنوان جایگزینی برای فرایندهای حرارتی متعارف پس از ساخت ابزاره های نانو لوله ای به کار برد.

 

بر این مبنا ما نسبت به انجام شبیه سازی دینامیک مولکولی (MD) تحت تحریک الکترونیکی اقدام نمودیم که می توان آن را از طریق ارتقای اعداد – اشغال الکترونیکی در محاسبه تئوری کاربردی چگالی (DFT) تقریب زد. این تقریب اصطلاحا تحت عنوان  «DFT   دارای محدودیت»  خوانده  می شود. در شبیه سازی MD جایگزینی ها یا اصلاحات سطحی در برخی از مواقع در بین حالات، با اشغال های – الکترونی مختلف، اعمال می گردد که باعث بروز عدم ثبات عددی در محاسبات DFT دارای محدودیت خواهد شد. جهت اجتناب از این عدم ثبات، ما اقدام به رهگیری سیر تکاملی – زمانی توابع موج Kohn-Sham در هر مرحله – زمانی شبیه سازی MD از طریق حل معادله وابسته به – زمان Kohn-Sham نمودیم. این نوع از شبیه سازی کاملا با استفاده از کامپیوترهای معمولی بسیار زمان بر بوده اما با استفاده از پردازش گرهای سریع موازی انبوه می توان این محاسبه را انجام داد. در حقیقت، مناسب ترین سیستم برای این نوع از شبیه سازی یک سوپر کامپیوتر بردار- موازی همانند شبیه ساز زمین می باشد.

 

در این مبحث، ما دو موضوع مهم را نشان می دهیم. اولین موضوع دینامیک تباهی حامل – داغ در نانو لوله های باریک می باشد. به هنگامی که نانو لوله ها به عنوان ابزاره های دارای فرکانس بالا به کار گرفته می شوند، عملیات on-off سریع مورد همراه با تباهی سریع حامل – داغ تزریق شده نیز مورد نیاز خواهد بود. تحقیقات تجربی قبلی با استفاده از لیزر کوادریلیوم ثانیه [۱] این موضوع را مشخص می سازد که دو محدوده زمانی تباهی وجود دارد، جفت گیری سریع الکترون- الکترون و جفت گیری آهسته الکترون- فوتون. شبیه سازی کنونی ما نشان دهنده آن است که لوله نازک عملیات خود را جهت نشان دادن این تباهی از طریق جفت گیری الکترون- فوتون در ۲۰۰ کوادریلیوم ثانیه آغاز می نماید که به صورت غیر منتظره ای و زود رس در مقایسه با نانو لوله های ضخیم تر می باشد. موضوع دیگر شبیه سازی استخراج ناخالصی با استفاده از چاقوی جراحی نوری می باشد. ناخالصی های اکسیژن به عنوان جدی ترین موارد به شمار می آیند چرا که آنها تبدیل به مراکز پراکندگی قدرتمند برای رسانش الکترون ها شده و تنزل ساختاری را سبب می شوند. به واسطه پیوندهای C-O قدرتمند تر از پیوندهای C-C ، فرایندهای حرارتی و شیمیایی جهت حذف ناخالصی های اکسیژن از نانو لوله کربنی چندان امیدوار کننده نمی باشند، در حالیکه تحریک الکترونی به عنوان موردی مفید بر حسب شبیه سازی های ما مدنظر خواهد بود. ما می توانیم دو سوراخ را در پیوندهای C-O با استفاده از فرایند Auger تشدید شده ایجاد نماییم که به وسیله تحریک هسته O 1s آغاز شده است. این شبیه سازی انتشار خودبخودی یک اتم O از یک نانو لوله بر روی یک فرایند Auger تشدید شده را خاطر نشان می سازد [۲]. به طور قابل توجه، نانو لوله قابلیت تعمیر یک جای خالی بزرگ ایجاد شده بر روی نشر – O از طریق فرم دادن پیوندهای C-C جدید را خواهد داشت.

 

تماس با ما

اکنون آفلاین هستیم، اما امکان ارسال ایمیل وجود دارد.

به سیستم پشتیبانی سایت ایران ترجمه خوش آمدید.