ایران ترجمه – مرجع مقالات ترجمه شده دانشگاهی ایران

دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۲ – مفاهیم دیود هندسی

دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۲ – مفاهیم دیود هندسی

دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۲ – مفاهیم دیود هندسی – ایران ترجمه – Irantarjomeh

 

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات رایگان

مطالعه ۲۰ الی ۱۰۰% رایگان مقالات ترجمه شده

۱- قابلیت مطالعه رایگان ۲۰ الی ۱۰۰ درصدی مقالات ۲- قابلیت سفارش فایل های این ترجمه با قیمتی مناسب مشتمل بر ۳ فایل: pdf انگیسی و فارسی مقاله همراه با msword فارسی  

چگونگی سفارش

الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه (شماره حساب) ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.com شامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر
مقالات ترجمه شده آماده گروه برق - الکترونیک - ایران ترجمه - Irantarjomeh
شماره
۱۶۹
کد مقاله
ELC169
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۲ – مفاهیم دیود هندسی
نام انگلیسی
GRAPHENE GEOMETRIC DIODES FOR OPTICAL RECTENNAS: Chap-02 – CONCEPTS OF GEOMETRIC DIODE
تعداد صفحه به فارسی
۸
تعداد صفحه به انگلیسی
۶
کلمات کلیدی به فارسی
دیود هندسی گرافنی,  رکتنای نوری
کلمات کلیدی به انگلیسی
GRAPHENE GEOMETRIC DIODE, OPTICAL RECTENNA
مرجع به فارسی
دپارتمان مهندسی برق، دانشگاه بریگهام یانگ، دانشگاه کلرادو بولدر
دپارتمان مهندسی برق، کامپیوتر و انرژی، دانشگاه کلرادو، ایالات متحده
مرجع به انگلیسی
Brigham Young University; University of Colorado Boulder; A thesis submitted to the
Faculty of the Graduate School of the
University of Colorado in partial fulfillment
of the requirement for the degree of
Doctor of Philosophy
Department of Electrical, Computer, and Energy Engineering
قیمت به تومان
۵۰۰۰
سال
۲۰۱۴
کشور
ایالات متحده

 

 دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری
فصل ۲: مفاهیم دیود هندسی
دپارتمان مهندسی برق، دانشگاه بریگهام یانگ
دانشگاه کلرادو بولدر
دپارتمان مهندسی برق، کامپیوتر و انرژی، دانشگاه کلرادو، ایالات متحده
۲۰۱۴
فصل ۲
مفاهیم دیود هندسی
الف. مقدمه
در این مبحث ما اقدام به ارائه واژه “دیود هندسی” برای یک ابزاره فیلم / لایه ـ نازک  رسانا که آن را پیشنهاد نموده (Moddel، ۲۰۱۱) کرده و آن را تحت شرایط DC (Zhu، ۲۰۱۱)، (Moddel، ۲۰۱۲) و ۲۸ THz (Zhu، ۲۰۱۳) نشان می دهیم. این ویژگی از یک فیلم نازک رسانای مثلثی شکل نامتقارن استفاده می نماید. دیودهای هندسی جهت مشخص سازی رفتار شبه – دیود متکی به ویژگی عدم تقارن فیزیکی می باشند.
ابزاره های مشابهی با استفاده از اثر هندسی برای دستگاه های ۳ ـ ترمینال، T ـ شکل و Y ـ شکل از نقطه نظر تئوریکی (Wesström، ۱۹۹۹) و تجربی (Song، ۱۹۹۸)، (Hieke و Ulfward، ۲۰۰۰)، (Shorubalko، ۲۰۰۱) نشان داده شده اند. Song یک ابزار نیمه رسانا بر پایه گالیوم آرسنید را نشان داده است، که از الکترون های داغ به عنوان حامل های بار استفاده شده و همچنین می توان از آن به عنوان یک یکسوکننده تمام موج (FWR) در محدوده ۵۰ GHz استفاده کرد (Song، ۲۰۰۲). متعاقباً، وی دیودهای با فرکانس بالای مشابهی را توسعه داد که خود منوط به استفاده از یک نانو کانال نامتقارن می باشد که در ساختار نیمه رسانای مبتنی بر GaAs شکل گرفته است. لایه تهی آن با توجه به ولتاژ کاربردی متغیر بوده و این ابزاره در محیط ۵/۱ THz در رکتنا به خوبی عمل می نماید (Balocco، ۲۰۱۱). از طریق انجام برخی از اصلاحات یا با تغییر مواد دیود، چنین موردی را می توان به عنوان یک کاندید بسیار مناسب برای انجام عملیات در فرکانس های نوری بالاتر در نظر گرفت. اخیراً، رفتار یک سوکننده تمام موج ابزاره Y ـ شکل که با استفاده از گرافن تولید شده است نیز گزارش شده است (Händel، ۲۰۱۴).
به صورت موازی با تحقیق Song، تحقیق گسترده دیگری نیز در دهه ۱۹۹۰ و دهه ۲۰۰۰ در زمینه یکسوسازی ابزاره های بالستیک، عمدتاً با استفاده از مواد نیمه رسانای III-V ارائه شده است (Lorke، ۱۹۹۸)، (Sassine، ۲۰۰۸). فرکانس بالا و پایین انتقال مغناطیسی شبکه آنتی دوت (antidote) با یک شکل شورون، در مرجع (Lorke، ۱۹۹۸) مورد بررسی قرار گرفته است. شکل شبکه آنتی دوت مثلثی می باشد. مرجع (Sassine، ۲۰۰۸) نشان دهنده اثر برگشت ناپذیر یا ضامنی ایجاد شده به وسیله انتقال مستقیم القا شده به واسطه منابع انرژی خارجی در سیستم نامتقارن دیگر می باشد، که در آن ساختار آنتی دوت در قالب یک شکل نیم دایره می باشد. این ابزاره ها به نظر معرف یک مرحله معنی دار به سمت ارائه آشکارسازهای میکروویوی جدید و مولدهای جریان می باشند.
با توجه به ابزاره های فلزی، یکسوکننده نوری و ارتقاء دهنده میدانی حاصل آمده از نانوگپ فلزی نامتقارن نیز تحت شدت نوردهی بالا مدنظر قرار گرفته است (Ward، ۲۰۱۰). با استفاده از لیتوگرافی پرتوی ـ الکترون (e-beam) همراه با الکترومهاجرت، نانوگپ های فلزی شکل می یابند. اثر یکسوکننده پس از انجام تحلیل های آماری بر روی هزاران مورد اندازه گیری  شده  مشخص  گردیده  است. بنابراین،  نه تنها  فرآیند  ساخت  ناپایا  تلقی می شود، بلکه اثر هندسی نیز ضعیف می باشد.
یک دیود گرافنی با استفاده از ویژگی عدم تقارن هندسی در قالب یک گیت مورب در یک کانال گرافنی پیشنهاد و شبیه سازی شده است (Dragoman، ۲۰۱۰)، (Dragoman، ۲۰۱۳). ویژگی عدم تقارن ناخالصی / دوپه الکتریکی ناشی از گیت مورب اندک بوده و خود منجر به مشخصات نامتقارن I(V) ضعیف می گردد.
ب. اصل کاربرد دیودهای هندسی
در دیودهای هندسی، مشخصه نامتقارن I(V) خود برآیندی از عدم تقارن در شکل فیزیکی ابزاره می باشد. بر این مبنا یک فیلم نازک رسانا را در نظر بگیرید که به صورت نوک پیکانی معکوس، همانگونه که در شکل ۲ـ۱ نشان داده شده است الگوسازی گردیده است. ناحیه بحرانی این ابزاره در حقیقت ساختار نوک پیکانی معکوس آن (ناحیه گردن) است. حامل های بار از سمت چپ به راست (به صورت مستقیم) با ویژگی راحتتری در مقایسه با مسیر مخالف حرکت می نمایند که علت آن را می توان اثر قیفی به وجود آمده به واسطه لبه های نوک پیکانی دانست. حامل های بار با قابلیت حرکت مستقیم دارای احتمال بیشتری در زمینه بازتاب جداره های قطری در سمت چپ گردنه و کانال سازی در امتداد ناحیه نوک پیکانی در مقایسه با حامل های دارای حرکت معکوس می باشند، که به احتمال بیشتری به وسیله دیوارها یا جداره های مسطح در سمت راست بخش نوک پیکانی بلوک خواهند شد. این تفاوت در احتمال سبب ایجاد سطوح جریان نامشابه برای ولتاژهای بایاس مستقیم (با حرکت چپ به راست) و معکوس (با حرکت راست به چپ) می شود. با توجه به دیودهای  MIM ذکر شده در فصل ۱، که  دارای  یک  ساختار  صفحه  موازی  می باشند، دیودهای هندسی به واسطه ساختار مسطح آنها از یک خازن ناچیز  برخوردار می باشند. به علاوه، با توجه به آنکه دیودهای هندسی به صورت فیلم های نازک رسانایی پیوسته به حساب می آیند، مقاومت آنها برای تطبیق امپدانس آنتن را می توان در حد کفایت اندک در نظر گرفت. بنابراین، ثابت زمانی کلی مقاومت ـ خازن (RC) دیودهای هندسی به طور معنی داری کمتر از دیودهای MIM می باشد.
ضروریت اصلی فیزیکی برای دیود هندسی آن است که ابعاد حیاتی آن می بایست در مرتبه طول مسیر آزاد متوسط (MFPL) حامل های بار در ماده باشد. در این مقیاس، انتقال یا ترابرد حامل بار، در داخل دیود در امتداد ناحیه گردن را می توان به صورت بالستیک در نظر گرفت، به گونه ای که کرانه ها و هندسه ابزاره از تأثیر مهمی بر روی حرکت بار برخوردار باشند (Zhu، ۲۰۱۱)، (Zhu، ۲۰۱۳).

 

تماس با ما

اکنون آفلاین هستیم، اما امکان ارسال ایمیل وجود دارد.

به سیستم پشتیبانی سایت ایران ترجمه خوش آمدید.