ایران ترجمه – مرجع مقالات ترجمه شده دانشگاهی ایران

دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۵ – نتایج اندازه گیری ابزاره

دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۵ – نتایج اندازه گیری ابزاره

دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۵ – نتایج اندازه گیری ابزاره – ایران ترجمه – Irantarjomeh

 

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات رایگان

مطالعه ۲۰ الی ۱۰۰% رایگان مقالات ترجمه شده

۱- قابلیت مطالعه رایگان ۲۰ الی ۱۰۰ درصدی مقالات ۲- قابلیت سفارش فایل های این ترجمه با قیمتی مناسب مشتمل بر ۳ فایل: pdf انگیسی و فارسی مقاله همراه با msword فارسی  

چگونگی سفارش

الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه (شماره حساب) ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.com شامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر
مقالات ترجمه شده آماده گروه برق - الکترونیک - ایران ترجمه - Irantarjomeh
شماره
۱۷۲
کد مقاله
ELC172
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۵ – نتایج اندازه گیری ابزاره
نام انگلیسی
GRAPHENE GEOMETRIC DIODES FOR OPTICAL RECTENNAS: Chap-05 – DEVICE MEASUREMENT RESULTS
تعداد صفحه به فارسی
۲۹
تعداد صفحه به انگلیسی
۱۷
کلمات کلیدی به فارسی
دیود هندسی گرافنی,  رکتنای نوری
کلمات کلیدی به انگلیسی
GRAPHENE GEOMETRIC DIODE, OPTICAL RECTENNA
مرجع به فارسی
دپارتمان مهندسی برق، دانشگاه بریگهام یانگ، دانشگاه کلرادو بولدر
دپارتمان مهندسی برق، کامپیوتر و انرژی، دانشگاه کلرادو، ایالات متحده
مرجع به انگلیسی
Brigham Young University; University of Colorado Boulder; A thesis submitted to the
Faculty of the Graduate School of the
University of Colorado in partial fulfillment
of the requirement for the degree of
Doctor of Philosophy
Department of Electrical, Computer, and Energy Engineering
قیمت به تومان
۱۰۰۰۰
سال
۲۰۱۴
کشور
ایالات متحده
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری
فصل ۵: نتایج اندازه گیری ابزاره
دپارتمان مهندسی برق، دانشگاه بریگهام یانگ
دانشگاه کلرادو بولدر
دپارتمان مهندسی برق، کامپیوتر و انرژی، دانشگاه کلرادو، ایالات متحده
۲۰۱۴
فصل ۵
نتایج اندازه گیری ابزاره
الف. دیودهای هندسی فلزی
یودهای هندسی فلزی از تأثیرات الکترو مهاجرت الکتریکی رنج می برند (Black، ۱۹۶۹) (Lienig، ۲۰۱۳). شکل ۵ـ۱ نشان دهنده ابزاره / دستگاه نقره ای شکل ۴ـ۱ پس از بکارگیری ولتاژ   ۰٫۱ V DC  برای تقریباً    ۱  میلی  ثانیه  با  استفاده  از  آنالیز پارامتر   HP 4145B   می باشد. چگالی بالای الکترون ها به طور فیزیکی قابلیت رانش اتم های فلزی را دارند.
ب. اندازه گیری ابزاره گرافنی با DC
همانگونه که در فصل ۴ تشریح شد، در این مبحث از گرافن به عنوان ماده مورد نظر به واسطه بار MFPL و ظرفیت آن جهت کار با چگالی کاملاً بالا جریان همانند ~ ۱۰۸ A/cm۲ استفاده شده است (Avouris، ۲۰۱۰).  این  ویژگی  اجازه  ساخت  ابزاره هایی را فراهم می آورد که به طور قابل توجهی با در نظرگیری ظرفیت های تکنیک های لیتوگرافی کنونی بزرگ می باشند.
اندازه گیری اثر ـ گیت گرافن
یک ویژگی منحصر به فرد گرافن ساختار باند مخروطی آن می باشد (Castro، ۲۰۰۹)، که اجازه می دهد تا غلظت حامل گرافن را بتوان از طریق ولتاژ گیت کنترل نمود. این اثر گیت را می توان از طریق اندازه گیری جریان درین ـ سورس (IDS) در برابر ولتاژ گیت (VG) نوار گرافنی اندازه گیری نمود. ولتاژ گیت را می توان برای سوبسترا یا از طریق اضافه نمودن یک ساختار گیت فوقانی بکارگرفت. منحنی IDS در برابر VG تحت عنوان منحنی دیراک خوانده می شود (Castro، ۲۰۰۹). نقطه خنثی بار (CNP) برای ولتاژ گیت رخ می دهد که در آن الکترون و غلظت های حفره به صورت برابر و متناظر با حداقل رسانایی می باشند.
قبل از اندازه گیری دیودهای هندسی گرافنی ساخته شده، MFPL در گرافن از اثر گیت گرافنی برآورد شده فوق محاسبه می شود (Nayfeh، ۲۰۱۱). مرحله اندازه گیری اثر گیت با استفاده از تماس های چهار نقطه ای در شکل ۵ـ۲ نشان داده شده است. برآوردهای چهار نقطه ای با ولتاژ بایاس ضربانی جهت حذف مقاومت تماسی از طریق مجزاسازی الکترودهای حمل جریان و حسگری ولتاژ اعمال می شود (Zhu، ۲۰۱۳)، با این حال مقاومت تماسی ابزاره های ما صرفاً تا حد ۲۰ اهم اندازه گیری می شود، که بسیار کمتر از مقاومت کیلو اهمی برای ابزاره های گرافنی است. ولتاژ DC برای دو بخش تماسی فلزی بیرونی بکار گرفته شده است و جریان IDS نیز به صورت همزمان اندازه گیری شده است. به طور همزمان، افت ولتاژ حقیقی VDS در امتداد دیود بین دو ناحیه تماسی داخلی اندازه گیری می شود. برای ابزاره های گرافنی، قابلیت انجام اندازه گیری اثر گیت ضروری تلقی می شود. بر این مبنا از طریق اتصال یک منبع برق به نگه دارنده فلزی ایستگاه پروب اقدام به اعمال ولتاژ گیت شده است. به علاوه، سوبسترای سیلیکونی ویفر دارای تماس اهمی با نگه دارنده فلزی ایستگاه پروب می باشد. تماس اهمی از طریق کاربرد ویفرهای سیلیکونی کاملاً دوپه شده حاصل می شود، همانگونه که در فصل ۴ ذکر شد، و از این طریق قابلیت بکارگیری ولتاژ گیت برای سطح زیادی از سوبسترای ویفر فراهم خواهد شد. در این راستا همچنین اقدام به برآورد ولتاژ گیت واقعی بر روی سطح ویفر از طریق اچ لایه SiO۲ فوقانی شده است. تفاوت بین ولتاژ و سطح فوقانی ویفر و نگه دارنده فلز قابل اغماض می باشد.
اندازه گیری دیودهای هندسی گرافنی
در آغاز این پروژه، از تحلیل گر پارامتر HP HP4145B جهت انجام برآورد چهار نقطه ای همانگونه که در بالا تشریح شد استفاد شده است. با این وجود، غالب ابزاره ها از نقطه نظر الکتریکی به هنگام شکل دهی یک مدار باز پس از اندازه گیری ها با مشکل روبرو شده اند و این مورد حتی برای سوئیچ G و E که برای اتصال به زمین نیز مورد استفاده قرار گرفته است صادق می باشد. پس از اتصال خروجی تحلیل گر پارامتری به یک اسیلوسکوپ، شکل موج خروجی نامتعارفی همانگونه که در شکل ۵ـ۴ نشان داده شده است حاصل شد. به هنگامی که خروجی تحلیل گر پارامتر تحت برنامه ریزی جهت جاروب از -Vp to +Vp بکار گرفته شد، خروجی حقیقی از حالت غیرفعال ۰-V، الی جاروب -Vp، و متعاقباً جاروب تا +Vp تداوم یافت. در نهایت، به هنگامی که آنالیزر پارامتر جاروب ولتاژ را به انتها رساند، به جای خاموش نمودن خروجی (برگشت به ولتاژ صفر)، این تحلیل گر یک خروجی -Vp پالس ـ کوتاه را حاصل نموده و متعاقباً به خروجی صفر ولت بازگشت نمود. این پالس سبب ایجاد یک تکانه کوتاه الکتریکی با شدت ۲Vp گردیده و سبب صدمه دیدگی بسیاری از ابزاره ها شده است.
اندازه گیری تصدیقی اثر هندسی
به منظور تصدیق اثر هندسی، در این مبحث اقدام به ساخت دیودهای هندسی گرافنی CVD و ابزاره های پیوند متقارن گرافن شده است. دیودهای ساخته شده از گرافن CVD تقریباً دارای پهنای گردنه مشابه با دیودهای ساخته شده با استفاده از گرافن لایه برداری شده می باشد. گرافن CVD در مقایسه با گرافن لایه برداری شده دارای MFPL کوتاهتری به واسطه دوپه سازی در طی فرآیند CVD و اندازه دانه ای کوچک گرافن CVD، همانگونه که در فصل ۴ تشریح شده است، می باشد. در شکل ۵ـ۷ دیودهای گرافنی CVD معرف عدم تقارن کمتر در مقایسه با ابزاره های لایه برداری شده می باشند. به علاوه، ابزاره های تابع متقارن هیچ گونه عدم تقارنی را در رفتار I(V) نشان نداده و A همانند مورد تشریح شده حفظ خواهد شد.
ج. اندازه گیری ابزاره های رکتنا در ۲۸ تراهرتز
 ویژگی های اندازه گیری پاسخ نوری
شرایط اندازه گیری نوری رکتنا در شکل ۵ـ۹ نشان داده شده است. یک لیزر CO۲ فروسرخ SYNRAD 481SWJ در این مبحث اقدام به ایجاد یک تابش ۲۸ تراهرتزی می نماید. توان لیزر CO۲ به وسیله تغییر پهنای پالس از مولد پالس کنترل می شود. ما از یک لیزر He–Ne قرمز جهت کمک به همترازی لیزر CO۲ در ارتباط با این ابزاره استفاده می نماییم. یک صفحه نیم موج بر روی مسیر نوری قابلیت ایجاد دوران قطبش لیزری در ارتباط با محور آنتن را مهیا می سازد. یک برشگر سیستم تحقیقات استنفورد (SRS) با ۲۵ تیغه برای برش مکانیکی پرتوی لیزری در ۲۸۰ تراهرتز مورد استفاده قرار گرفت. برشگر مشابهی نیز قابلیت ایجاد یک مرجع برای آمپلی فایر SR830 را فراهم می آورد. بنابراین، این آمپلی فایر قفل شونده قابلیت تشخیص جریان خروجی مدول شده و سیگنال ولتاژ در فرکانس قطع را خواهد داشت. قبل و بعد از هر اندازه گیری نوری، با استفاده از یک سوئیچ جیوه ای اقدام به اتصال کوتاه پروب ها به زمین جهت اجتناب از صدمه دیدگی ابزارها، ناشی از تخلیه الکترواستاتیکی، می شود. اندازه گیری های دو نقطه ای بر روی دیودهای آنتن دار در هوا و با توجه به شرایط دمای اتاق انجام شد.
اندازه گیری پاسخ نوری رکتنا
پاسخ های نوری اندازه گیری شده رکتنای دیود ـ گرافنی / آنتن فلزی و رکتنای دیود ـ گرافنی / آنتن گرافنی در شکل های ۵ـ۱۰ و ۵ـ۱۱ به ترتیب نشان داده شده اند. با وجود آنکه پاسخ دهی حداکثری در بایاس VDS > 1 V DC، همانگونه که در شکل ۵ـ۶ (ج) نشان داده شده است، هیچ گونه VDS خارجی یا VG در طی برآوردهای نوری مورد نیاز نیستند. هر دو مورد ولتاژ مدار باز یکسو شده و جریان کوتاه مدار در شکل های ۵ـ۱۰ و ۵ـ۱۱ دارای وابستگی کسینوسی ـ مربع بر روی زاویه قطبش بوده که خود مؤکد پاسخ نوری به واسطه تابش و جفت شدگی آن در امتداد آنتن پاپیونی می باشد. وابستگی زاویه ای پاسخ نوری معرف آن است که یکسوسازی نه به واسطه نفوذ حامل های بار ایجاد شده نوری و نه به واسطه نتایج اثرات ترموالکتریکی ناشی از نوردهی غیریکنواخت دیود می باشند. به علاوه، هیچ گونه ولتاژ گیتی در طی این اندازه گیری اعمال نشده و ما با استفاده از یک سوئیچ جیوه ای ابزاره مورد بررسی را قبل از اندازه گیری به زمین متصل نمودیم. بنابراین، هیچ گونه پیوند p-n در نتیجه VDS و VG کاربردی شکل نگرفته است (Williams، ۲۰۰۷).
برآورد تصدیقی برای پاسخ نوری رکتنا
جهت تصدیق رزونانس آنتن پاپیونی فلزی ما در ۲۸ تراهرتز، برآورد میدان ـ نزدیک آنتن با استفاده از روش میکروسکوپی نوری میدان ـ نزدیک روبشی (snom) انجام شد. الگوی میدان نزدیک مسیر ـ z حاصله در شکل ۵ـ۱۲ به طور آشکار نشان دهنده پاسخ تشدیدشدگی یا رزونانس آنتن در ۲۸ تراهرتز  و  در  انطباق  با دیگر  آنتن های  مشابه  می باشد (Olmon، ۲۰۰۸). میدان نزدیک در مسیر ـ z در بالای دو بازوی آنتن پاپیونی به صورت متقارن و به میزان ۱۸۰ درجه خارج از فاز در امتداد محور ـ y عمودی می باشد. اندازه گیری میدان نزدیک نیز در گروه Markus Raschke در دانشگاه کلرادوی بولدر انجام شد.
تماس با ما

اکنون آفلاین هستیم، اما امکان ارسال ایمیل وجود دارد.

به سیستم پشتیبانی سایت ایران ترجمه خوش آمدید.