ایران ترجمه – مرجع مقالات ترجمه شده دانشگاهی ایران

سیم پیچ یا چوک الکترونیکی جامع دارای کارآیی بالا برای لامپ‌های فلورسنت فشرده

سیم پیچ یا چوک الکترونیکی جامع دارای کارآیی بالا برای لامپ‌های فلورسنت فشرده

سیم پیچ یا چوک الکترونیکی جامع دارای کارآیی بالا برای لامپ‌های فلورسنت فشرده  –  ایران ترجمه – Irantarjomeh

 

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات رایگان

مطالعه ۲۰ الی ۱۰۰% رایگان مقالات ترجمه شده

۱- قابلیت مطالعه رایگان ۲۰ الی ۱۰۰ درصدی مقالات ۲- قابلیت سفارش فایل های این ترجمه با قیمتی مناسب مشتمل بر ۳ فایل: pdf انگیسی و فارسی مقاله همراه با msword فارسی  

چگونگی سفارش

الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه (شماره حساب) ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.com شامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق - الکترونیک - ایران ترجمه - Irantarjomeh

شماره
۱۸
کد مقاله
ELC18
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
سیم پیچ یا چوک الکترونیکی جامع دارای کارآیی بالا برای لامپ‌های فلورسنت فشرده
نام انگلیسی
High-Efficient Integrated Electronics Ballast for Compact Fluorescent Lamps
تعداد صفحه به فارسی
۴۰
تعداد صفحه به انگلیسی
۱۰
کلمات کلیدی به فارسی
مد رسانایی ناپیوسته (DCM)، چوک الکترونیکی، لامپ‌های فلورسنت
کلمات کلیدی به انگلیسی
Discontinuous, condition mode (DCM), Electronic ballast, fluorescent lamps
مرجع به فارسی
IEEE
مرجع به انگلیسی
IEEE
قیمت به تومان
۱۵۰۰۰
سال
۲۰۰۶
کشور
ایالات متحده
سیم پیچ یا چوک الکترونیکی جامع دارای کارآیی بالا  برای لامپ‌های فلورسنت فشرده
IEEE
۲۰۰۶
چکیده
در این مقاله، یک چوک یا سیم پیچ الکترونیکی دارای کارآیی زیاد با ضریب توان بالا برای لامپ‌های فلورسنت فشرده مورد بررسی قرار می‌گیرند. توپولوژی پیشنهادی از دو منبع ولتاژ متصل شده بصورت سری برای تغذیه مبدل سیم پیچ لامپ استفاده می‌نماید، که یکی از آنها در ولتاژ خط یکسو شده بکار رفته و دیگری نیز در مبدل DC-DC بکار رفته و در مد رسانایی ناپیوسته عمل می‌نماید. بدین روش، این مبدل در یک انرژی کمتر از توان اسمی مشخص شده برای لامپ عمل خواهد نمود. توپولوژی پیشنهادی ارائه دهنده سادگی، ضریب توان بالا، ضریب پیک جریان پایین و کارآیی بالا می‌باشد.
کلمات کلیدی: مد رسانایی ناپیوسته (DCM)، چوک الکترونیکی، لامپ‌های فلورسنت.
۱- مقدمه
لامپ‌های فلورسنت فشرده بعنوان منابع نوری بسیار معروفی بحساب می‌آیند چرا که بصورت فزاینده در کاربردهای خانگی بجای لامپ‌های رشته‌ای بکار گرفته می‌شوند. دلیل این امر بواسطه مزیت‌های مختلف این لامپ‌ها نظیر تابش بیشتر، کارآیی بالاتر و طول عمر بیشتر می‌باشد. علاوه بر این، بهنگامی که لامپ‌های فلورسنت فشرده با بهره‌گیری از سیم پیچ‌های الکترونیکی عرضه می‌گردند، منبع نوری منتج شده کوچک وکارآ خواهدبود.
بااین وجود، عیب اصلی لامپ‌های فلورسنت فشرده هزینه بالا آنها می‌باشد، مخصوصاً بهنگامی که سیم‌پیچهای الکترونیکی نیز همراه با آنها عرضه شده تا آنکه ملزومات استانداردهای هماهنگ نظیر استاندارد IEC-1000-3-2 فراهم گردد.
با هدف کاهش هزینه‌های سیم پیچ‌های الکترونیکی که برای چنین استانداردهایی الزامی می‌باشند، مهم‌ترین استراتژی پیش روی بوجود آوردن ادوات مجتمع‌ای می‌باشد تا بدین روش تعداد اجزای بکار گرفته شده کمتر گردد.
شکل ۱- نشان دهنده دیاگرام‌های بلوک مرتبط با برنامه جاری در زمینه توسعه سیم پیچ‌های الکترونیکی با توجه به اغتشاش هارمونیک کلی پایینتر (THD) می‌باشد. شکل ۱(الف) نشان دهنده طرح سیم پیچ الکترونیکی متعارف برای لامپ‌های فلورسنت فشرده می‌باشد. همانگونه که مشاهده می‌شود، این طرح دارای دو مرحله است.
اولین مرحله ارائه شده مرحله تقویت ضریب توان موثر می‌باشد که از طریق یک رکتیفایر یا یکسو کننده دیود پل کامل حاصل می‌شود. این مرحله جهت تقویت ضریب توان ورودی بکار برده می‌شود، یعنی آنکه چوک یا سیم پیچ بعنوان یک بار مقاومتی بوسیله خط جریان متناوب (AC) در نظر گرفته می‌شود،‌ علاوه بر تولید یک ولتاژ خروجی برق مستقیم (DC) برای تامین مرحله ثانویه. مرحله دوم یک مبدل تشدید شده فرکانس بالا می‌باشد که برای روشن شدن لامپ و تثبیت جریان لامپ در طی عملیات پایدار بکار گرفته می‌شود. مبدل تشدید  کننده می‌بایست شکل موجهای متقارن را برای لامپ مهیا سازد تا آنکه از فرسایش مساوی هر دو الکترودهای لامپ اطمینان حاصل شود.
 
۲-  مفهوم پیشنهادی و پیکربندی سیم پیچ
شکل ۲ (الف) دیاگرام بلوک این دیدگاه را بر مبنای شکل دهنده جریان ورودی اتصال سریال نشان می‌دهد (۷) – (۸). در (۸) ICS با استفاده از مبدل بازگشت اعمال می‌گردد. مدار هم ارز ساده شده این مفهوم در شکل ۲(ب) نشان داده شده است. منبع مونتاژ VG معرف ولتاژ خط یکسو شده و RS مقاومت مبدل بازگشت می‌باشند که در مد رسانایی ناپیوسته (DCM)، همانگونه که از منبع VG مشخص می‌باشد عمل می‌نمایند. در (۹)، RS بعنوان « اتلاف – مقاومت آزاد » درنظر گرفته می‌شود، چرا که مبدل بازگشت که در DCM عمل می‌نماید دارای خصیصه‌های خطی همانند مقاومت V-I بوده و «انرژی منتشر شده» آن به منبع ولتاژ VS منتقل می‌گردد، که در این مورد صفر می‌باشد.
۳- آنالیز سیم پیچ الکترونیکی پیشنهادی
الف – جریان اصلی و شکل موج‌های ولتاژ
شکل موجهای اصلی مدار پیشنهادی در شکل ۴ نشان داده شده‌اند. ولتاژ   معرف ولتاژ خط یکسو شده در اولین طرح می‌باشد.
۴- رویه طراحی و مثال‌ مربوطه
این بخش روال طراحی مفهومی را که قبلاً تشریح گردیده است، با استفاده از یک مبدل بازگشتی بعنوان تقویت کننده ضریب توان همانگونه که در شکل ۳(الف) نشان داده شده است، را مورد بررسی قرار می‌دهد. یک مثال طراحی نیز ذکر شده است که بعداً در یک برنامه تجربی بکار گرفته می‌شود.
الف- رویه طراحی
۱- مشخصات طراحی: پارامترهای ورودی برای رویه طراحی ارائه شده عبارتند از: فرکانس یا بسامد خط fL ، فرکانس سوئیچنگ fs ، مقدار پیک ولتاژ خط یکسو شده VG ، ضریب دندانگی یا تموج ولتاژ در خازن خروجی بازگشتی ، کارآیی مبدل بازگشت  ،‌ و سیکل یا چرخه کار D ، همراه با جریان لامپ rms   ILrms و نیروی لامپ PL مشخص شده بوسیله تولید کننده.
۲- انتخاب m: مقدار بهینه m می‌بایست بر مبنای الزام بین یک CCF پایین و ضریب قدرت منطقی مبدل DCDC  QS  انتخاب شود. برای مقادیر m کمتر از ۱، CCF پایین‌تر از محدوده بالایی توصیه شده ۷/۱ خواهد بود،‌ با این وجود ضریب توان مبدل بازگشت بالای ۶۰% افزایش خواهد یافت، که بر روی کارآیی سیم پیچ تاثیر خواهد گذاشت.
۳- محاسبه عناصر مبدل بازگشت: برای طراحی این مرحله، لازم است تا نسبت به محاسبه قدرت پردازش شده بوسیله مبدل بازگشت بر مبنای رابطه‌های قدرت معادله ۱۳ و کارآیی کلی سیستم در معادله ۱۵ اقدام نمود. مقدار QS در معادله ۱۳ از طریق ضریب Q ارائه شده در معادله ۱۲ بر حسب m ارزیابی می‌شود. قدرت پردازش شده بوسیله مبدل بازگشت به شرح ذیل می‌باشد:
۵- نتایج تجربی
در این بخش، اعتبار طرح‌های مختلف تجربی و اجرایی به منظور تصدیق رفتار توپولوژی پیشنهادی ارائه شده‌اند. مدار سیم پیچ طراحی شده در شکل ۱۱ نشان داده شده است. ادوات ذیل به منظور ساختن این نمونه یا پرتوتایپ مهیا گردیده‌اند: برای M۱ و M۲ MOSFET IRF730،  برای D۱-D۴ مبدل بازگشت و آمپلی‌فایر کلاس D دیودهای MUR460، برای D۸-D۱۱ پل یکسو کننده و برای D۱۳ (دیود خود راه انداز IR2151) دیودهای MUR160 برای D۵-D۷ و D۱۲ برد کنترل دیودهای ۱N4148 انتخاب شده و برای Q1 ترانزیستور ۲N2222 دو قطبی انتخاب گردیدند. لامپی که در کلیه آزمایشات بکار گرفته شد یک لامپ مدور فلورسنت مدل FCL32D-T9 ساخت NEC بود. توان اسمی لامپ ۳۲ وات و میزان تابش ۱۸۹۰lm بود.
۶- نتیجه گیری
در این مقاله، یک سیم پیچ الکترونیکی تک مرحله‌ای با یک شکل دهنده جریان ورودی اتصال – موازی ارائه گردید که معرف عملکرد ضریب توان ورودی بالا و لامپ پایین CCF می‌باشد. مفهوم پیشنهادی از طریق استفاده از یک مبدل DC-DC با عملکرد در DCM بعنوان P-ICS و یک آمپلی فایر کلاس D بعنوان اینورتور حاصل گردید.
در مقابل دیدگاه معرفی شده در معادله ۸، که شامل شکل دهنده جریان ورودی اتصال – سریال   (S-ICS) می‌باشد، سیم پیچ پیشنهادی یک شکل موج جریان خط – AC تقریباً سینوسی را پیشنهاد می‌نماید که نتیجه آن ضریب قدرت بالاتر (۹۹%) می‌باشد و بر این اساس بهره گیری از یک سیستم مجتمع واحد که باعث کاهش هزینه‌ها خواهد شد حاصل می‌شود.
اتصال موازی ICS این مزیت را ارائه می‌دهد که مبدل DC-DC تنها نسبت به پردازشی یک بخش از توان ارسال شده به مخزن رزونانت اقدام می‌نماید – که بر این اساس کارآیی بالاتری (۹۳%) به دست خواهد آمد. این ارتباط قدرت، CCF، PF و THD بعنوان یک تابع نسبت بین ولتاژ خروجی مبدل DC-DC و ولتاژ خط پیک (m) بیان می‌گردد.
آنالیز مدار معرف آن است که با توجه به استقلال ارزش این پارامتر،‌ توپولوژی می‌تواند بصورت همیشگی نسبت به اعمال ملزومات استاندارد IEC-1000-3-2 اقدام نماید. ارزش بهینه برای m را می‌بایست بر مبنای الزام بین یک CCF پایین و یک نسبت قدرت منطقی مبدل DC-DC انتخاب نمود.

 

لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
تماس با ما

اکنون آفلاین هستیم، اما امکان ارسال ایمیل وجود دارد.

به سیستم پشتیبانی سایت ایران ترجمه خوش آمدید.