ایران ترجمه – مرجع مقالات ترجمه شده دانشگاهی ایران

مدل سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانو مقیاس: حجم – فوق باریک SOI FETs در برابر ترانزیستورهای اثر میدان (FET ها) نانو لوله کربنی

مدل سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانو مقیاس: حجم – فوق باریک SOI FETs در برابر ترانزیستورهای اثر میدان (FET ها) نانو لوله کربنی

مدل سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانو مقیاس: حجم – فوق باریک SOI FETs در برابر ترانزیستورهای اثر میدان (FET ها) نانو لوله کربنی – ایران ترجمه – Irantarjomeh

 

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات رایگان

مطالعه ۲۰ الی ۱۰۰% رایگان مقالات ترجمه شده

۱- قابلیت مطالعه رایگان ۲۰ الی ۱۰۰ درصدی مقالات ۲- قابلیت سفارش فایل های این ترجمه با قیمتی مناسب مشتمل بر ۳ فایل: pdf انگیسی و فارسی مقاله همراه با msword فارسی  

چگونگی سفارش

الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه (شماره حساب) ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.com شامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر
مقالات ترجمه شده آماده گروه برق - الکترونیک - ایران ترجمه - Irantarjomeh
شماره
۸۷
کد مقاله
ELC87
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
مدل سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانو مقیاس:
حجم – فوق باریک SOI FETs در برابر ترانزیستورهای اثر میدان (FET ها) نانو لوله کربنی
نام انگلیسی
Modeling of Nanoscaled FETs:
Ultrathin-body SOI FETs versus Carbon nanotube FETs
تعداد صفحه به فارسی
۷
تعداد صفحه به انگلیسی
۶
کلمات کلیدی به فارسی
چکیده
کلمات کلیدی به انگلیسی
مرجع به فارسی
مرجع به انگلیسی
قیمت به تومان
۲۰۰۰
سال
۲۰۱۰
کشور
ایالات متحده، ژاپن
مدل سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانو مقیاس:
حجم – فوق باریک SOI FETs در برابر ترانزیستورهای اثر میدان (FET ها) نانو لوله کربنی
 
مرکز سیستم های مجتمع، دانشگاه استفورد، ایالات متحده
مرکز تحقیقات و توسعه، شرکت توشیبا
۲۰۱۰-۲۰۰۹
 
مقدمه
کوچک سازی اندازه های ابزارهای الکترونیک بعنوان یک استراتژی اصلی برای ارتقای عملکردهای مرتبط با مجتمع سازى در مقیاس بزرگ (LSI ها) مدنظر می باشد. نقشه راه ITRS [۱] معرف آن است که در سال ۲۰۱۶ طول گیت MOSFET ها کمتر از ۱۰ نانومتر خواهد بود. در خصوص این رژیم نانو مقیاسی، می بایست با محدوده های اصلی و چالش های فن آوری روبرو شویم. بعلاوه، اثرات تحدید کوانتوم و مقاومت پارازیتی دارای تاثیرات معنی داری بر روی عملکرد MOSFET در ترانزیستورهای اثر میدان کوچک می باشند. در این مبحث، ما نسبت به ارائه تحقیقات خود در زمینه تاثیرات تحدید کوانتوم بر روی SOI MOSFETها دارای حجم فوق نازک همراه با خواص پیوند شوتکی تشکیل شده بین لایه – وارانگی و فلز سورس/ درین اقدام می کنیم. اثرات تحدید کوانتوم در ابزارهای نانو مقیاس و فلز سوس/ درین همچنین در ترانزیستورهای اثر میدان (FETها) نانو لوله کربنی نیز مهم خواهند بود.
 اثرات تحدید کوانتوم
از طریق بکارگیریSOI MOSFETها  همراه با ضخامت SOI کمتر از ۵ نانومتر، اثرات تحدید کوانتوم بر روی ویژگی های MOSFET مورد بررسی قرار گرفته [۲-۵] و بنابر این نتایج ذیل حاصل می شوند. ۱) ولتاژ آستانه MOSFETها با توجه به کاهش ضخامت SOI افزایش می یابد. ۲) شیب منحنی Cgc-Vg در اطراف Vth به هنگامی که ضخامت SOI کاهش می یابد تیزتر خواهد شد.    ۳) حالت تحرک به واسطه مدولاسیون ساختار نوار فرعی القا شده بوسیله اثرات تحدید کوانتوم به میزان زیادی مدوله خواهد شد. با وجود آنکه رفتار تحرک، بعنوان تابعی از ضخامت SOI، از پیچیدگی اندکی برخوردار است، این مورد را می توان بطور اصلی بر حسب تحدیدهای کوانتوم در SOI فوق باریک درک کرد.
 
سورس / درین شوتکی
این نکته را باید خاطر نشان ساخت که پیوند شوتکی، تشکیل شده بین لایه وارونگی و فلز سورس/ درین، بر روی جریان on مربوط به FETها تاثیر گذار بوده و این پیوند تاثیر قدرتمندی را از میدان القا شده بوسیله این گیت خواهد پذیرفت. بمنظور بررسی اثر میدان گیت بر روی مانع شوتکی، بلندی مانع شوتکی، ، در اطراف لبه گیت یک دیود شوتکی گیت شده بطور کامل مورد بررسی قرار می گیرد [۶]. شکل ۱ نشان دهنده یک ساختار شماتیک دیود شوتکی گیت شده ما می باشد. یک دیود نانو- شوتکی بین الکترود (CoSi۲) فلز و لایه انباشتگی شکل گرفته است. همانگونه که در شکل ۱ نشان داده شده است جریان دیود ID شامل الف) جریان دیود در VG مرتبط با ۰V ، Ib، که عمدتا در مسیر انتهای پیوند شوتکی عبور می نماید و ب) جریان به سمت لایه انباشتگی، Iacc، که بعنوان یک جریان اضافه به Ib در VG مثبت مدنظر است. بنابراین، جریان به سمت دیود نانو شوتکی گیت شده، Iacc، را می توان بعنوان  Iacc=ID-Ib استخراج نمود.
شکل ۱٫ شماتیک دیود شوتکی گیت شده (CoSi۲/n-Si) و مراحل مرتبط با برآورد. ضخامت اکسید گیت به میزان ۱۰ نانومتر می باشد.  طول کانال و پهنا به میزان ۱۰ و ۱۰ میکرومتر بترتیب طراحی شده اند.
از طریق بررسی ویژگی های نانو شوتکی، این مورد را میتوان نشان داد که افزایش VG به میزان قابل توجهی سبب کاهش بلندی مانع شوتکی خواهد شد. کاهش  را میتوان به صورت کمی بر حسب کاهش پتانسیل القایی- نیروی- یا قوه تصور تشریح نمود. بر مبنای نتایج فوق، میتوان اینگونه نتیجه گیری کرد که S/D MOSFET ها شوتکی با فلز سورس  از پتانسیل لازم جهت نشان دادن عملکرد رقابتی با MOSFETهای متعارف برخوردار می باشند.
 
نتیجه گیری
در این تحقیق، اثرات تحدید کوانتوم بر MOSFETها حجم – فوق نازک و خواص پیوند شوتکی نانو مقیاس تشکیل شده بین لایه – وارونگی و فلز منبع/ درین مورد بحث قرار گرفته اند. اثرات و خواص آنها همچنین در CNTFET ها نیز مهم و معنی دار خواهند بود.
تماس با ما

اکنون آفلاین هستیم، اما امکان ارسال ایمیل وجود دارد.

به سیستم پشتیبانی سایت ایران ترجمه خوش آمدید.