ایران ترجمه – مرجع مقالات ترجمه شده دانشگاهی ایران

نانوالکترونیک: جریان تونل زنی در ترانزیستورهای تک الکترون – DNA

نانوالکترونیک: جریان تونل زنی در ترانزیستورهای تک الکترون – DNA

نانوالکترونیک: جریان تونل زنی در ترانزیستورهای تک الکترون – DNA – ایران ترجمه – Irantarjomeh

 

مقالات ترجمه شده آماده گروه فنی مهندسی – بین رشته ای
مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات رایگان

مطالعه ۲۰ الی ۱۰۰% رایگان مقالات ترجمه شده

۱- قابلیت مطالعه رایگان ۲۰ الی ۱۰۰ درصدی مقالات ۲- قابلیت سفارش فایل های این ترجمه با قیمتی مناسب مشتمل بر ۳ فایل: pdf انگیسی و فارسی مقاله همراه با msword فارسی -- تذکر: برای استفاده گسترده تر کاربران گرامی از مقالات آماده ترجمه شده، قیمت خرید این مقالات بسیار کمتر از قیمت سفارش ترجمه می باشد.  

چگونگی سفارش

الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه (شماره حساب) ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.com شامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر -- مقالات آماده سفارش داده شده عرفا در زمان اندک یا حداکثر ظرف مدت چند ساعت به ایمیل شما ارسال خواهند شد. در صورت نیاز فوری از طریق اس ام اس اطلاع دهید.

قیمت

قیمت این مقاله: ۵۰۰۰ تومان (ایران ترجمه - irantarjomeh)

توضیح

بخش زیادی از این مقاله بصورت رایگان ذیلا قابل مطالعه می باشد.

مقالات ترجمه شده فنی مهندسی - بین رشته ای - ایران ترجمه - irantarjomeh
شماره      
۴۰
کد مقاله
TEC40
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
نانوالکترونیک: جریان تونل زنی در ترانزیستورهای تک الکترون – DNA
نام انگلیسی
Nanoelectronics: Tunneling current in DNA–Single electron transistor
تعداد صفحه به فارسی
۱۷
تعداد صفحه به انگلیسی
۴
کلمات کلیدی به فارسی
نانوتکنولوژی، درزوکسى ریبونوکلئیک اسید (DNA)، ترانزیستور تک الکترون (SET)، سوئیچ الکترونیک، پل های پیوند – P
کلمات کلیدی به انگلیسی
Nanotechnology, Deoxyribonucleic acid (DNA), Single electron transistor (SET), Electronic switch Quantum tunneling, P-bond bridges etc.
مرجع به فارسی
دپارتمان الکترونیک، کالج علوم، کشمیر، هندوستان، الزویر
مرجع به انگلیسی
Department of Electronics, G.G.M Science College, Jammu Tawi, Jammu & Kashmir, India; Current Applied Physics, Elsevier
سال
۲۰۰۹
کشور
هندوستان
نانوالکترونیک: جریان تونل زنی در ترانزیستورهای تک ­الکترون – DNA
دپارتمان الکترونیک، کالج علوم، کشمیر، هندوستان
الزویر
۲۰۰۹
چکیده
مطابق با پیش­بینی موور[۱]، تکنولوژی مدارات مجتمع سیلیکونی مدرن  سرعت محاسبات را هر ۱۸ تا ۲۴ ماه یکبار افزایش داده است، بااین حال کاهش ابعاد این مدارات بدون در نظر گرفتن مسائل مربوط به کوانتوم امکان­پذیر نیست. صرفنظر از ساخت اتصالات مولکولی (که مانند نقاط کوانتومی‌عمل می‌کنند) و یک ترانزیستور با اثرمیدان سی ان تی[۲]، اتصال یک تک مولکول به رابط­های خارجی بسیار سخت می­باشد، آنچنان که تحقیق و رسیدگی به این ایده تا مدتی قبل امکان­پذیر نبود. مولکول­های منفرد می­توانند عملکرد مشابهی مانند عملکرد عناصر کلیدی میکرومدارات امروزی ایفا کنند. امروزه مهندسی مولکولی، گسترش کاربردهای بالقوه­ی خود را در جهت ساخت دستگاه­های الکترونیکی در مقیاس نانو و با پیچیدگی بسیار بیشتر نسبت به میکرومدارهای امروزی انجام می­دهد. دلیل تشکیل مدارات الکترونیک مولکولی تقاضا برای تکنولوژی­های بهتر، ساده­تر، سریع­تر و کوچک­تر می­باشد. بیوالکترونیک یکی از شاخه­های مورد علاقه می­باشد که شامل الکترونیک دی ان ای[۳] و محاسبات سلولی است و همچنین دارای اشتراکاتی با بیوتکنولوژی است. قطعات مدارات الکترونیکی که از تک­مولکول­ها استفاده می­کنند از سال ۱۹۷۴ پیشنهاد شده­اند. همچنین برای این کار قطعات الکترونیکی مبتنی بر دی ­ان­ ای از قبیل ترانزیستورهای تک­الکترون نیز بررسی و پیشنهاد شده­اند. در این مقاله، جریان تونلی (تونل زنی) تحت شرایط بایاس­های مختلف خارجی بررسی می­شود. مدل DNA-SET (ترانزیستورهای تک­الکترون مبتنی بر دی ان ای) مبتنی بر خواص تونلی پیوندهای­ P (به عنوان اتصال تونلی در سد کولنی) در چارچوب‌های قندی – فسفاتی مولکول­های تک­رشته­ی دی ان ای می­باشد.
 
کلمات کلیدی: نانوتکنولوژی، درزوکسى ریبونوکلئیک اسید (DNA)، ترانزیستور تک الکترون (SET)، سوئیچ الکترونیک، پل های پیوند – P
  1. مقدمه
مولکول­ دی ان ای مهمترین قسمت هر موجود زنده می­باشد. این مولکول می­تواند هم در آزمایشگاه و به طور مصنوعی تولید و هم از بدن موجودات زنده و به صورت طبیعی استخراج شود. مولکول دی ان ای پایدارترین مولکول موجود می­باشد که حتی تحت شرایط با دمای بالا (بالاتر از °۹۰ سانتیگراد) نیز ثابت می­ماند. این مولکول حامل کد ژنتیکی می­باشد و به صورت مداوم تولید پروتئین را که برای وجود و عملکرد خودش ضروری می­باشد، کنترل می­کند. دی ان ای یک پلیمر می­باشد. واحدهای مونومر دی ان ای به صورت نوکلئوتیدها[۴] هستند و همچنین پلیمر به عنوان پلی­نوکلئوتید[۵] شناخته می­شود. در این ساختار هر نوکلئوتید شامل یک قند ۵-کربنه (دئوکسی­ریبوز[۶]) ، یک ترکیب نیتروژن­دار متصل به قند و یک گروه فسفات می­باشد. در دی ان ای چهار نوکلئوتید وجود دارد که تنها در ترکیب نیتروژن­دار با هم فرق می­کنند. آدنین[۷]، گوانین[۸]، سیتوزین[۹] و تیمین[۱۰] این چهار نوکلئوتید مختلف می­باشند. آدنین و گوانین از نوع پورین[۱۱] می­باشند. پورین­ها قسمت عمده­ی این دو نوکلئوتید را تشکیل می­دهند. سیتوزین و تیمین از دسته­ی پیرمیدین­ها[۱۲] می­باشند. همانند پورین­ها، تمام پیرمیدین­ها نیز اتم­های موجود در یک صفحه را احاطه می­کنند. آدنین با تیمین پیوند­های هیدروژنی دوگانه و سیتوزین با گوانین پیوند­های هیدروژنی سه­گانه را تشکیل می­دهند. قند دئوکسی­ریبوز موجود در ستون فقرات/چارچوب دی‌ان‌ای‌ شامل ۵ کربن و ۳ اکسیژن می­باشد. پیوند بین گروه­های هیدروکسیل و اتم­های ۵کربنه و همچنین پیوند بین گروه­های فسفات و اتم­های ۳کربنه، ستون فقرات/چارچوب دی‌ان‌ای‌ را بوجود می­آورند. همانطور که در شکل ۱ نشان داده شده است نئوکلوزیدها[۱۳] توسط زنجیره­های فسفودیستر[۱۴] به هم متصل می­شوند تا یک رشته­ی منفرد را بوجود آورند.
پیوندP نقش مهمی‌را در ایجاد ارتباط بین دو مولکول قند ایفا می­کند. در این چند سال اخیر تمایلات زیادی برای توسعه و بهبود مواد غیرآلی یا معدنی در برابر مواد زیستی­آلی وجود داشته است. این تمایلات شاید به خاطر برخی خواص منحصربه­فرد مولکول­های زیستی از جمله دی ان ای باشد که مونتاژ نانوذرات را با دقت و کارایی بالا ممکن می­سازد. به طور خاص، اتصالات ویژه­ی مابین تک­رشته­های دی ان ای، ویژگی خودمونتاژبودن و توانایی در سنتز دی ان ای هر رشته، آن را به یک گزینه­ی مناسب در الکترونیک مولکولی تبدیل کرده است. از زمان کشفیات اولیه­ی واتسون[۱۵] و کریک[۱۶]، خواص الکتریکی دی ان ای و همچنین مناسب بودنش به عنوان یک رابط(سیم) مولکولی همواره مورد بررسی و تحقیق قرار گرفته است. یکی از استفاده­های دی ان ای تک رشته­ای می­تواند ترانزیستور الکترونی تک دی ان ای باشد، که می­تواند عملکردی بسیار مشابه به ترانزیستورهای متعارف امروزی داشته باشد. نانو بودن مقیاس این ترانزیستورها و همچنین عمل کردن آنها در دمای اتاق منجر به این می­شود که این ترانزیستورها عملکردی بسیار سریع داشته باشند. از آنجا که تمامی‌این ترانزیستورها از مولکول­های یکسانی ساخته شده­اند، می­توانند بسیار شبیه به هم نیز باشند. آنها همچنین می­توانند به دلیل پایداربودن پیوند­های شیمیاییشان، بسیار پایدار عمل کنند. در ضمن این ترانزیستورها خاصیت خود مونتاژ بودن را حفظ خواهند کرد که این می­تواند منجر به ساخت شبکه­های پیچیده با چگالی عناصر بالا شود. در این مقاله یک راه­حل تئوری برای جریان تونلی در ترانزیستورهای تک­الکترونی مبتنی بر دی ان ای با استفاده از تئوری تونل­زنی مکانیکی کوانتم پیشنهاد می­شود.
 
شکل ۱٫ گروه فسفات تشکیل دهنده پیوند-P بین دو قند می‌باشند، که عملکردی بعنوان اتصال تونلی بین قندها دارند.
 
۲- روش شناسی
۱-۲٫ مروری بر تئوری DNA-SET
بعد از ارائه­ مدل واتسون و کریک برای دی­ان­ای تحقیقات گسترده­ای در جهت فهم ساختار و نحوه­ فعالیت دی­ان­ای[۳] از جمله مکانیزم انتقال بار انجام شد. این تحقیقات منجر به استفاده­ی دی­ان­ای به عنوان نانوسیم­ها در الکترونیک دی­ان­ای و همچنین به عنوان خودمونتاژ بودن در نانوساختارها شد. تحقیق توپولوژیکی بار سالیتون­ها[۱۷] در اتصالات تونلی مزوکوپیک[۱۸] [۴,۵] احتمال وجود بارهای پویا در دی­ان­ای را می­داد. تحقق نظری DNA-SET به خاطر بررسی تخمین بار[۱۹] و سالیتون­های دو قطبی در مولکول­های دی­ان­ای است که در آنها پل­های فسفاتی نقش عناصر تونلی را ایفا می­کنند[۶]. بنابراین شاید بتوان از خواص الکتریکی موجود در دی­ان­ای استفاده کرد تا از آن مانند یک ترانزیستور تک الکترون استفاده کرد. رشته­های دی­ان­ای را می­توان مانند آرایه­های تک بعدی در نظر گرفت. هر واحد یا دانه­­ی آرایه از یک شکر و ترکیب متصل به آن تشکیل شده است. دانه­ها به صورت طولی و توسط گروه­های فسفات یا همان پیوندهای P به هم متصل شده­اند و توسط پیوند­های هیدروژنی(پیوند H) موجود بین ترکیبات به یک رشته­ی دیگر و به صورت موازی اتصال پیدا کرده اند.(شکل ۲)
در شکل ۲ دو دانه توسط یک پیوند P بهم متصل شده­اند که معادل با شکل ۱ است. در این شکل دایره­های تیره و روشن به ترتیب نمایانگر اتم­های کربن و اکسیژن هستند. در شکل ۲ دو دانه­ای که توسط پیوند P به هم متصل شده بودند تشکیل یک اتصال تونلی را می­دهند. اتصال تونلی یا به صورت اتفاقی(مانند یک اتصال تونلی معمولی) می­باشد و یا به صورت منسجم (مانند یک اتصال جوزفسون مزوکوپیک[۲۰])، که  بر اساس میزان وابستگی آن به درجه­ی آزادی محیط می­تواند ایجاد شود. به هر اتم فسفر چهار اتم اکسیژن متصل شده­ است. دوتایی که به صورت طولی متصل شده­اند از هر دو طرف مولکول­های شکر را به فسفر وصل می­کنند، و دوتای دیگر که به صورت متقاطع وصل شده­اند سه الکترون را به اشتراک می­گذارند. اتصال تونلی پیوند P نتیجه­ی اتم­های اکسیژنی است که به صورت متقاطع وصل شده­اند. در نتیجه دو پیوند سیگما(σ) و یک پیوند پی(π) تشکیل می­شود. از آنجا که الکترون π می­تواند توسط هر دو اتم به اشتراک گذاشته شود در نتیجه مانند یک الکترون با پتانسیل دو لایه خواهد بود که که لایه­ی با کمترین میزان انرژی را اشغال می­کند. به دلیل اصل خروج پائولی[۲۱] الکترون دیگری نمی­تواند همان سطح انرژی پائین را اشغال کند. دلیل آن حضور یک تک الکترون در لایه است که الکترون اضافی دیگر را با یک سد مواجه می­کند. ارتفاع این سد همان اختلاف انرژی این لایه با لایه­ی مجاور است. برخلاف اتصالات تونلی معمولی، فرآیند تونل­زنی در این مورد از نوع منسجم است، یعنی شبیه اتصال جوزفسون مزوکوپیک(ظرفیت پائین) است[۷]. بنابراین حرکت بارها و در نتیجه جریان را می­توان با یک انرژی خارجی(ولتاژ) کنترل کرد.
شکل ۲٫ تصویر شماتیک دو “دانه” در DNA که بوسیله پیوند-P متصل شده‌اند.
 
به منظور به وجود آمدن یک DNA-SET به دو رشته از دی­ان­ای نیاز است: یک رشته­ی اصلی و یک رشته­ی گیت. ترکیب انتهایی رشته­ی گیت به مکمل خودش در وسط رشته­ی اصلی متصل می­شود. کل رشته­ها به جز در اتصال بین رشته­ی اصلی و گیت ، مانند پل­های فسفری مجاورشان، روکش داده می­شوند. انتهای رشته­ی گیت­ این فلز روکش­داده شده باید به الکترود گیت و دو انتهای دیگر، که همان دو سر رشته­ی اصلی می­باشند، به دو الکترود دیگر وصل می­شوند. البته تولید این اتصالات خود یک چالش عمده­ای را پیش رو می­گذارد. ساختار دی­ان­ای پیشنهادی در اینجا می­تواند مانند یک ترانزیستور تک الکترون- تونلی عمل کند. شکل ۳ دیاگرام کلی ترانزیستور دی­ان­ای را نشان می­دهد.
شکل ۳٫ تصویر شماتیک DNA-SET
 
مستطیل­های موجود در شکل ۳، دی­ان­ای تک رشته­ای هستند که به منظور اتصالات خارجی با طلا روکش­کاری شده­اند. دایره­های P همان پیوندهای فسفری هستند و مربع تیره نیز ترکیبی است که از طریق پیوند هیدروژنی به مکملش وصل شده است. Vg ولتاژ گیت و V ولتاژ داده­ شده به دو الکترود دیگر می­باشد. در شکل ۴ مدل الکتریکی معادل برای DNA-SET مشاهده می­شود.
شکل ۴٫ مدل هم ارز الکتریکی DNA-SET
 
علاوه بر اینکه پیوند­های فسفری همانند اتصالات تونلی عمل می­کنند، خود دی­ان­ای نیز دارای خواص خازنی و اندوکتانسی می­باشد. با توجه به اینکه الکترون اضافی موجود در اتم، متعلق به رشته­ی قندی، می­تواند از اتمی‌به اتم دیگر بپرد بنابراین انرژی جنبشی را از این طریق به دست می­آورد.
انرژی القایی نشان دهنده­ی انرژی جنبشی است که از جابجا شدن اتم اضافی از یک طرف مولکول قند به طرف دیگر و در طول رشته بدست آمده است. L متناظر با جابجایی­های اتم از یک طرف مولکول به طرف دیگر و L0 متناظر با جابجایی از لبه­ی یک ترکیب به مولکول قند می­باشد. از آنجا که L0 شامل جابجایی­های بیشتری اطراف حلقه­های کربن می­باشد در نتیجه فرض می­کنیم که> L  L0. از روی خواص میکروسکوپیک دی­ان­ای اندازه­ی هر دو اندوکتانس را نیز می­توان بدست آورد و احتمالا در رنچ پیکوهانری خواهند بود. خواص خازنی نیز از سدهای تونلی ناشی می­شود. پیونده­های هیدروژنی و فسفری سد­هایی را مقابل بارهای منتشر شده تشکیل می­دهند. پروتون در پیوند هیدروژنی می­تواند به طور موثری چگالی بار خالص در هر دو طرف پیوند را با نزدیک کردن موقعیتش به سمت آنها بررسی کند. در نتیجه بارهای اضافی اطراف پیوند هیدروژنی جمع می­شوند و در نتیجه می­توان پیوند را  به عنوان یک خازن در نظر گرفت. C0 ظرفیت متناظر با پیوند هیدروژنی می­باشد. ظرفیت دوم که با C مشخص شده است ظرفیت متناظر با ظرفیت موجود در اتصال تونلی(پیوند فسفری) می‌باشد ، و سومین ظرفیت از فعل و انفعال موجود در ظرفیت ایجاد شده بین دانه­ی موجود با یک لایه­ی معمولی بوجود می­آید که با Cs مشخص شده است و به خاطر تزویج الکتریکی ماده به محیط یا همان خودظرفیت می­باشد. مقدار خودظرفیت از مقدار دو ظرفیت دیگر کمتر می­باشد و این در حالی است که مقدار دوتای دیگر تقریبا هم اندازه می­باشند (به خاطر اینکه پیوند P از پیوند H باریکتر می‌باشد احتمالا  C از C0 بزرگتر ­باشد). پس می­توانیم فرض کنیم که . مقدار دقیق ظرفیت­ها می­تواند چیزی در حدود  و یا کمتر باشند. از آنجا که مقدار اندوکتانس­ها بسیار کوچک می­باشند و در پی آن زمان آرامش نیز خیلی کوتاه می­باشد، در نتیجه می­توان در اینجا از اندوکتانس­ها صرفنظر کرد. تزویج به محیط به حدی قوی می­باشد که تونل­زنی ناهمدوس خواهد بود[۲]. در نتیجه همانطور که در شکل ۵ نشان داده شده است مدل ساده­شده­ی DNA-SET می­تواند با مدل خازنی دولان[۲۲] و فولتان[۲۳] [۹]جایگزین شود.
RT1 و RT2 مقاومت­های الکتریکی هستند که بیانگر سدهای تونلی (پیوند P) موجود می­باشند که مقادیر آنها در تئوری بدست خواهد آمد. از آنجا که هر دو پیوند فسفر خواص شیمیایی یکسانی دارند پس می­توان مقادیر C1 و C2 را برابر فرض کرد. دو اتصال تونلی(پیوندP) به صورت سری و توسط یک منبع ولتاژ ایده­الV بایاس می­شوند. بار زمینه­ (اولیه) q0 یک عدد غیرصحیح است و n1 و n2 به ترتیب بیانگر تعداد الکترون­های عبور یافته(تونل یافته) از اتصال اول و دوم هستند. مقدار کل بار با q.C0 مشخص می­شود که برای سادگی با Cg نشان داده می­شود.
۲-۲٫ آنالیز و بررسی DNA-SET
همانطور که گفته شد، تئوری ارتدوکس[۲۴] در مورد تونل­زنی تک الکترون یا SET ،که در [۷] بیان شده است، به صورت کمی‌اثرات مهم شارژ از جمله انسداد کولنی یا نوسانات کولنی را توضیح می­دهد. با توجه به شکل ۵ مقدار V1 و V2 از طریق روابط زیر بدست می­آید:
  
شارژ زمینه q0 + Cg(Vg – V2) را می­توان با تغییر دادن Vg کنترل کرد. انرژی آزاد هلم­هولتز[۲۵]مقدار انرژیی است که انتقال الکترون­ها را در یک دستگاه تک-الکترون معین می­کند[۸]، این مقدار از اختلاف بین انرژی کل ذخیره شده در دستگاه (Eel) و کار انجام شده توسط منابع بدست می­آید. مقدار انرژی آزاد در کل مدار با F مشخص شده است و از معادله­ی ۵ حاصل می­شود.
مقدار لحظه­ای تونل­زنی از سمت چپ اتصال J2 و با عبور از آن ، ۲l(ΔF2)Γ، از طریق سطوح انرژی تک الکترون عبوری از آن محاسبه می­شود:
در این معادله T(E) المان ماتریسی تونل­زنی برای یک الکترون با انرژی E، f(E) تابع توزیع فرمی[۲۶] و Dgr(E) و Dr(E) به ترتیب نمایانگر چگالی وضعیت دانه[۲۷] و الکترودهای راست[۲۸] هستند. به طور مشابه Egr و Er به ترتیب نمایانگر بالاترین مقدار انرژی اشغال­شده­ی دانه و الکترودهای راست هستند. اختلاف آنها باعث ایجاد یک سد کولنی در مقابل تونل­زنی داخل دانه می­شود. به دلیل تزویج بالا با محیط سیستم از توزیع فرمی‌پیروی می­کند. نرخ­های تونل­زنی دیگری از جمله ۲r(ΔF2)Γ، ۱l(ΔF1)Γ و ۱r(ΔF1)Γ می­باشند.
شکل ۵٫ مدل خازنی T. Fulton و G. Dolan
به دلیل اینکه پیوندهای مختلف P یکسان هستند در نتیجه نرخ­های تونل­زنی نیز باهم برابر هستند. از آنجا که جریان طبیعتی محافظه­کارانه دارد پس مقدار جریان در هر اتصال را می­تواند بدست آورد، در نتیجه معادله­ی کلی جریان از طریق معادله­ی ۷ بدست می­آید:
مشخصه ولتاژ-جریان SET از طریق حل عددی معادله­ی ۷ و با استفاده از     مقادیر مناسب و اعمال شرایط مرزی بدست می­آید. در اینجا معادله­ی ۷ برای دو حالت مختلف ولتاژ خارجی اعمالی محاسبه می­شود: ۱) V>0 وVg<0 ۲) V>0 و Vg>0. راه حل معادله­ی۷ برای مکانیسم تونل­زنی در شکل ۶ آمده است.
یک مشخصه­ ولتاژ- جریان معمول برای چگالی سطوح انرژی ثابت و برای اتصالات یکسان در دمای حد پائین دارای آستانه­ ولتاژی به اندازه­ی می­باشد. به منظور آنکه سیستم مانند یک ترانزیستور عمل کند باید اندازه­  Vg­ اطراف آستانه تغییر کند. بنابراین معادله­ی ۸ اندازی جریان تونلی را در DNA-SET را نشان می­دهد. مقدار افزایش جریان در جریان­های بالاتر از آستانه باید تا حد ممکن زیاد باشد. برای حالت دوم (یعنی V>0 و Vg>0) بعضی تغییرات در معادله­ی ۸ لازم است تا  مشخصه­ ولتاژ-جریان DNA-SET تابعی از V­g شود. (به عبارتی بتوان Vg را وارد معادلات ولتاژ-جریان کرد).
شکل ۶٫ مکانیسم تونل زنی در امتداد اتصالات
 
شکل ۷٫ خواص I–V مرتبط با DNA–SET
۳- نتایج و نتیجه­گیری
مدل DNA-SET در زبان C شبیه­سازی شد که نتیجه­ آن شکل ۷ است که مشخصه­ی ولتاژ-جریان DNA-SET را نشان می­دهد که در آن i_ds جریان درین به سورس را در مقیاس نانوآمپر، V_ds ولتاژ درین به سورس را در واحد میلی­ولت و V_gs نیز ولتاژ گیت به سورس را در مقیاس میلی­ولت نشان می­دهد. نمودارهای موجود، تغییرات i_ds را در مقابل V_ds در مقادیر مختلف V_gs به نمایش می‌گذارند. مشاهده شده است که برای مقادیر کم V_gs جریان تونلی (i_ds) توسط سد کولنی کنترل می­شود و به مجرد آنکه ولتاژ گیت – سورس از آستانه­ی بیشتر شد، جریان به سرعت زیاد می‌شود. پائین­تر از ولتاژ آستانه ترانزیستور در حالت خاموش(off) و در بالاتر از آن روشن(on) فرض می­شود.
[۱] Moor
[۲] CNT
[۳] DNA
[۴] Nucleotide
[۵] Polynucleotide
[۶] Deoxyribose
[۷] Adenine
[۸] Guanine
[۹] Cytosine
[۱۰] Thymine
[۱۱] Purine
[۱۲] Pyrimidine
[۱۳] Nucleoside
[۱۴] Phosphodiester
[۱۵] Watso
[۱۶] Crick
[۱۷] Saliton
[۱۸] Mesocopic
[۱۹] Prediction of charge
[۲۰] Mesocopic Josephson junction
[۲۱] Pauli Exclusion Principle
[۲۲] Dolan
[۲۳] Fulton
[۲۴] Orthodox
[۲۵] Helmholtz’s free energy
[۲۶] Fermi distribution function
[۲۷] Grain
[۲۸] The right electrodes
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
تماس با ما

اکنون آفلاین هستیم، اما امکان ارسال ایمیل وجود دارد.

به سیستم پشتیبانی سایت ایران ترجمه خوش آمدید.