الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه(شماره حساب)ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.comشامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر --مقالات آماده سفارش داده شده پس از تایید به ایمیل شما ارسال خواهند شد.
قیمت
قیمت این مقاله: 25000 تومان
(ایران ترجمه - irantarjomeh)
توضیح
بخش زیادی از این مقاله بصورت رایگان ذیلا قابل مطالعه می باشد.
شماره
۳۶
کد مقاله
ELC36
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
فرآیند مجتمع سازی یونیزاسیون ضربه‌ای ادوات نیمه رسانای- اکسید فلز
نام انگلیسی
Integration Process of Impact-Ionization Metal–Oxide–Semiconductor Devices
تعداد صفحه به فارسی
۱۳
تعداد صفحه به انگلیسی
۳
کلمات کلیدی به فارسی
مجتمع سازی، فرآیند
کلمات کلیدی به انگلیسی
integration, process, I-MOS, TFET, MOSFET
مرجع به فارسی
ژورنال فیزیک کاربردی ژاپن
مرجع به انگلیسی
Japanese Journal of Applied Physics
کشور
ژاپن
مجتمع سازی یونیزاسیون ضربه‌ای نیمه رسانای اکسید فلز
فرآیند مجتمع سازی یونیزاسیون ضربه‌ای ادوات نیمه رسانای- اکسید- فلز با تونل زنی ترانزیستورهای- اثر- میدانی (اف ای تی) و نیمه رساناهای- اکسید- فلز ترانزیستورهای اثر میدانی
ژورنال فیزیک کاربردی ژاپن
۲۰۰۷
این مقاله فرآیند مجتمع سازی یونیزاسیون ضربه‌ای ادوات نیمه رسانای – اکسید- فلز (I-MOS)، ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی (TFETs) و ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه رسانای- اکسید- فلز (MOSFETs) را مورد بررسی قرار می‌دهد. بر این مبنا، ادوات nm IMOS -70 ، TFETs و سیلیکون – بر- عایق کاملاً تهی شده MOSFETs (FD-SOI) بطور موفقیت آمیزی ساخته شدند. با این وجود، بواسطه عدم وجود فوتوماسک‌ها یا پوششهای نوری، در این تحقیق MOSFETها بر روی ویفرهای مجزایی ساخته شدند. ادوات I-MOS دارای ارزش نوسان زیرآستانه‌ای کوچک ۷٫۳Mv/dec می‌باشند. با وجود آنکه TFETs نشان دهنده عملیات ترانزیستور معمولی می‌باشند، هنوز فضای کافی برای ارتقای قابلیت راه‌اندازی جریان و مقدار نوسان زیرآستانه‌ای وجود دارد. خصیصه‌های انتقال MOSFETها مشابه با موارد SOI MOSFETs بیان شده در مقاله‌های مربوطه می‌باشند. فرآیند مجتمع سازی نشان دهنده امکان‌سنجی کاشت یا قرار دادن عاملیتهای مختلف بر روی یک چیپ می‌باشد.
کلمات کلیدی: مجتمع سازی، فرآیند، I-MOS ، TFET، MOSFET
مجتمع سازی یونیزاسیون ضربه‌ای نیمه رسانای اکسید فلز
اخیراً برخی از مطالعات بر روی ادوات تحقیقات نوظهور توجه زیادی را به خود جلب نموده‌اند تا بدین وسیله نقشه راه برای ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه – رسانای- اکسید- فلز سیلیکون (MOS-FETs) گسترش یابد. در بین آنها، این مقوله بر روی یونیزاسیون- ضربه‌ای ادوات MOS (I-MOS) و FETهای تونل زنی (TFETs) متمرکز می‌باشد. ساختار پایه ادوات I-MOS دیود p-i-n گیت شده می‌باشد که اصول عملیاتی آن مدولاسیون ولتاژ فروپاشی بهمنی جهت کنترل جریان خروجی می‌باشد. از آنجایی که کاهش دیوار پتانسیل پیوند p-n بر روی گردش جریان خروجی در ادوات I-MOS بیش از این حاکم نمی‌باشد، نوسان زیر آستانه‌ای کمتر از ۶۰Mv/dec را می‌توان حتی در دمای اتاق به دست آورد. TFET همچنین بعنوان یک دیود p-i-n گیت شده مد نظر است که تحت شرایط بایاس معکوس عمل می‌نماید. تنها تفاوت ساختاری از ادوات I-MOS غیاب ناحیه –i می‌باشد که کاملاً بوسیله گیت همپوشانی نمی‌شود. با این وجود، مکانیزیم عملیاتی کاملا متفاوت می‌باشد. در مورد TFET، تزریق حامل منبع تحت اشراف تونل زنی باند- به- باند می‌باشد که می‌بایست در ادوات I-MOS از آن صرفنظر کرد.
در این تحقیق، مجتمع سازی ادوات I-MOS با TFETs و MOSFETs بر حسب خصیصه‌های ساخت و ابزار، که دارای سزاواری‌هایی است که در شکل ۱ نشان داده شده‌اند، مورد بررسی قرارگرفته است. از آنجایی که ابزار I-MOS فرآیند فروپاشی بهمنی را بعنوان مکانیزم تزریق حامل اتخاذ نموده است، نشان دهنده نوسان زیر آستانه کمتر از ولتاژ گرمایی و جریان ON بالایی می‌باشد. از طرف دیگر، حامل‌ها در TFET از طریق فرآیند تونل زنی باند- به- باند تزریق می‌گردند. بواسطه آنکه TFET دارای هیچ گونه ناحیه –i نمی‌باشد، مقیاس پذیری بهتری را در مقایسه با ابزار I-MOS نشان می‌دهد. علاوه بر این، مصرف اندک نیرو را نیز بواسطه ولتاژ منبع – به- تخلیه بار الکتریکی پایین می‌توان انتظار داشت. با وجود آنکه ابزار I-MOS و TFET دارای مزیت‌های خاص خود می‌باشند، مجتمع سازی هر دو نوع ادوات با توجه به کاربردهای سیستمی دارای مقیاس زیاد ناکافی می‌باشند. بطور مثال، جریان خروجی ابزار I-MOS و TFET تنها در یک مسیر جریان می‌یابد. بر این اساس این موضوع قابلیت کاربرد این دو ابزار را به میزان زیادی کاهش می‌دهد. در صورتی که ادوات I-MOS و TFET نسبت به تحت پوشش درآوردن بخش‌های مدار بهنگامی که جریان بصورت تک مسیره گردش می‌یابد و در حالی که MOSFETs بخش‌های دیگر را که در آن جریان بصورت دو مسیره گردش دارد تحت پوشش قرار داده باشد، این موضوع می‌تواند بسیار مفید تلقی شود. بنابر این، این مسئله بعنوان یک موضوع مهم مد نظر خواهد بود تا نسبت به مجتمع سازی سه نوع از ابزار بر روی زیرلایه یکسان اقدام شود. مجتمع سازی ادوات I-MOS ، TFETs و MOSFETs می‌تواند بعنوان یک جبران برای نقاط ضعیف هر یک از این ادوات تلقی گردیده و بر این اساس عملکرد بالا و مصرف اندک نیرو تواماً در یک چیپ محقق می‌شوند. این مقاله شامل نگارش پیشرفته موارد ارائه شده قبلی می‌باشد.
…
مجتمع سازی یونیزاسیون ضربه‌ای نیمه رسانای اکسید فلز
فرآیند مجتمع سازی پیشنهاد شده در شکل ۲ خلاصه شده است. درابتدا، یک زیرلایه سیلیکون – بر- عایق (SOI) از طریق اکسیداسیون حرارتی به اندازه ضخامت مورد نیاز بصورت ظریف در می‌آید. پس از آن روال اکسیداسیون – موضعی سیلیکون (LOCOS) باعث می‌شود تا ضخامت SOIMOSFETs بصورت مستقل از ادوات I-MOS و TFETs کنترل شود. عمل القای یون نوع –N در پی مرحله فوتولیتوگرافی برای تعریف ناحیه فعال انجام می‌شود. پس از فرآیند رسوب یا ته نشست لایه ایزولاسیون مزا، تترا اتیلورئوسیلیکات (tetraethylorthosilicate) (TEOS) و فوتولیتوگرافی به منظور ماسک‌دار نمودن یا پوشش‌دار کردن نواحی تخلیه الکتریک ادوات I-MOS و TFETs انجام می‌پذیرد. سپس، لایه TEOS حکاکی شده و پس از آن مرحله فوتولیتوگرافی جهت محافظت نواحی MOSFETs در مقابل از بین رفتن حکاکی انجام شده صورت می‌پذیرد. لایه TEOS باقی مانده بعنوان یک پوشش سخت برای ناحیه تخلیه الکتریکی عمل می‌نماید، در حالیکه پوشش مقاوم در برابر نور نواحی MOSFET را در مقابل از بین رفتن حکاکی محافظت می‌کند. بهنگامی که نواحی سیلیکون مربوطه جهت تشکیل نواحی تخلیه مزا- شکل حکاکی می‌شوند، نواحی MOSFET بواسطه وجود پوشش یا ماسک مقاوم در برابر نور بر روی آنها تحت این فرآیند قرار نخواهند گرفت. در نتیجه، اکسیداسیون گیت، ته نشست پلی‌سیلیکون و ته نشست TEOS در عوض برای تشکیل پشته گیت اعمال می‌گردد. پس از آن، مرحله فوتولیتوگرافی بمنظور تعریف پدهای گیت، جاییکه تماس‌های الکتریکی بوجود می‌آیند، انجام می‌پذیرد. یک نکته قابل توجه آن است که MOSFETs می‌توانند دارای طول‌های کانال مختلف در فرآیند پیشنهادی باشند چرا که آنها بوسیله روال فوتولیتوگرافی بجای جداکننده جداره جانبی تعریف گردیده‌اند. بواسطه آنکه طراحی مدار MOS (CMOS) تکمیلی متعارف امکان‌پذیر می‌باشد، طراحی کلی سیستم بسیار ساده‌تر از کارهای قبلی ما انجام خواهد شد. در وهله بعد، مراحل فوتولیتوگرافی و کاشت به ترتیب به منظور فرم دادن منبع و نواحی تخلیه الکتریکی انجام می‌گردند. در نهایت، در پی فرآیند آنیلینگ، ادوات I-MOS، TFETs و MOSFETs بصورت مجتمع بر روی یک زیرلایه قرار می‌گیرند. پارامترهای فرآیند کلیدی در جدول ۱ خلاصه شده‌اند. در نتیجه جریان این فرآیند که در شکل ۲ نشان داده شده است، ما توانستیم بصورت موفقیت آمیزی‌نسبت به ساخت ادوات nm I-MOS -70 و TFETs علاوه بر MOSFETs70-nm اقدام نمودیم. ادوات I-MOS بر روی یک ویفر واحد با TFETs مجتمع گردیدند. با این وجود، MOSFETs بر روی یک ویفر مجزا بواسطه کمبود فوتوماسک‌ها ساخته شدند.
مجتمع سازی یونیزاسیون ضربه‌ای نیمه رسانای اکسید فلز
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
