مقالات ترجمه شده دانشگاهی ایران

ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی

ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی

ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی – ایران ترجمه – Irantarjomeh

 

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات

چگونگی سفارش مقاله

الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه(شماره حساب)ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.comشامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر --مقالات آماده سفارش داده شده پس از تایید به ایمیل شما ارسال خواهند شد.

قیمت

قیمت این مقاله: 15000 تومان (ایران ترجمه - irantarjomeh)

توضیح

بخش زیادی از این مقاله بصورت رایگان ذیلا قابل مطالعه می باشد.

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق - الکترونیک - ایران ترجمه - Irantarjomeh
شماره
۹۵
کد مقاله
ELC95
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی- آخرین دستاوردها
نام انگلیسی
Carbon nanotube field-effect transistors – The latest insights
تعداد صفحه به فارسی
۴
تعداد صفحه به انگلیسی
۴
کلمات کلیدی به فارسی
کلمات کلیدی به انگلیسی
مرجع به فارسی
چکیده
مرجع به انگلیسی
کشور
ایالات متحده

 

 ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی- آخرین دستاوردها

در خلال چندین سال اخیر نانو لوله های کربنی (CN) ها خود توجه بسیاری را تحت عنوان بلوک های اصلی کاربردهای الکترونیک بخود جلب نموده اند. در حالیکه که نانو لوله های فلزی به عنوان سیستم های میان اتصالی در مدارهای مجتمع شناخته می شوند، لوله های نیمه رسانایی به عنوان مولفه ها یا اجزای ترانزیستور اثر میدان (FET) مشخص می گردند. از آنجایی که اولین عملیات CNFET در سال ۱۹۹۸ انجام شد، عملکرد این ابزار به میزان قابل توجهی ارتقا یافته است. در بین دیگر موارد این مورد نیز نشان داده شده است که CNFETs ها در یک حالت بالستیک / پرتابه ای حتی در دمای اتاق عمل نموده که خود فراهم آورنده ولتاژهای درین و گیت چندان بزرگی نبوده و طول کانال آنها فراتر از چندین صد نانو متر نخواهد بود.
یکی از یافته های غیر قابل انتظار فوق العاده در زمینه CNFETs ها این موضوع می باشد که آنها را نمی توان در محدوده یک مدل MOSFET متعارف تشریح نمود. اصلی ترین مشاهده را می توان اینگونه بیان داشت که عملکرد ترانزیستورهای نانو لوله کربنی در حقیقت مشابه با ابزاره های مانع شوتکی می باشد. به علاوه این موضوع نیز مشخص شد که راه گزینی در نیمه رساناهای اندازه نانومتر، نظیر نانو لوله های کربنی، در تماس با الکترودهای فلز سورس/ درین به طور کامل با استفاده از سطوح میانجی یا مشترک فلز/ نیمه رسانا و وابستگی – میدانی آنها مشخص می شود، البته به شرط آنکه انتقال در نیمه رسانا به صورت بالستیک / پرتابه ای باشد. با استفاده از نوع خاص خواص نانو لوله، ما قابلیت حصول بینش های مهمی در باب موضوع  انتقال چند موده / چند حالته در CNFETs ها را خواهیم داشت و مهمتر آنکه اخیرا قابلیت ساخت اولین تونل سازی باند- به- باند CNFET با یک رفتار راه گزینی سریعتر، در مقایسه با موارد حاصله با استفاده از هر یک از دیدگاه های ترانزیستور متعارف، را حاصل آورده ایم.
این مبحث علی الخصوص چنین دیدگاه حیاتی در ارتباط با انتقال / حمل و نقل در نانو لوله های کاربنی را تحت پوشش قرار داده و پتانسیل عملکرد تونل زنی CNFETs ها را نیز تشریح خواهد نمود.
Irantarjomeh
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.